80V80A MOS管可替代 KIA75N75資料 特征： RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V 提供無鉛環(huán)...80V80A MOS管可替代 KIA75N75資料 特征： RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V 提供無鉛環(huán)保設備 低RDS-ON可將傳導損耗降至最低 大雪崩電流
據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士稱，中國臺灣地區(qū)的一線IC設計公司已通知客戶，從2022年第一季度...據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士稱，中國臺灣地區(qū)的一線IC設計公司已通知客戶，從2022年第一季度起將進一步提價。其他設計公司也在尋求未來3-6個月內(nèi)提高芯片價格，或?qū)⒂诿髂觊_始...
三種組態(tài)電路比較 共射電路:電壓和電流放大倍數(shù)均大，輸入輸出電壓相位相反，...三種組態(tài)電路比較 共射電路:電壓和電流放大倍數(shù)均大，輸入輸出電壓相位相反，輸出輸出電阻適中。常用于電壓放大。
復合管，是兩個或兩個以上的晶體管通過某種方式組合在一起使用。復合管可以看成...復合管，是兩個或兩個以上的晶體管通過某種方式組合在一起使用。復合管可以看成一個特殊的晶體管使用，其復合后的電路放大系數(shù)β約為各個三級管β的積。復合后的U...
大部分電子產(chǎn)品都配有鋰電池，在沒有外接電源的時候，使用鋰電池進行供電；當外...大部分電子產(chǎn)品都配有鋰電池，在沒有外接電源的時候，使用鋰電池進行供電；當外接電源的時候，使用外部電源供電，同時對鋰電池充電。因此要求電路必須具備能夠根據(jù)...
如圖所示，P-Base與Source電極相連。反向電流可以從Source流入P-Base，通過PN結(jié)...如圖所示，P-Base與Source電極相連。反向電流可以從Source流入P-Base，通過PN結(jié)（P-Base/N-Dift）流入Drain。這個PN結(jié)就是MOSFET中的Body diode。其作用是導通電感...
