上圖是一個控制MOS管開關的簡單電路圖，根據之前的分析，MOS管柵極與源極之間有...上圖是一個控制MOS管開關的簡單電路圖，根據之前的分析，MOS管柵極與源極之間有寄生電容，柵極與漏極之間也有寄生電容。 另外，MOS管源極接地，漏極輸出，這種情...
NMOS是柵極高電平（VGS > Vt）導通,低電平斷開,可用來控制與地之間的導通。適合...NMOS是柵極高電平（VGS > Vt）導通,低電平斷開,可用來控制與地之間的導通。適合用于源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。
用一只精心挑選的運放、一個低閾值的P溝道MOSFET,以及兩只反饋電阻，就可以做出...用一只精心挑選的運放、一個低閾值的P溝道MOSFET,以及兩只反饋電阻，就可以做出一個正向壓降小于二極管的整流電路（圖1）。整流后的輸出電壓為有源電路供電，因此...
MOSFET作為功率開關元件廣泛應用于調節器和馬達控制器。在各種H橋配置中，它們...MOSFET作為功率開關元件廣泛應用于調節器和馬達控制器。在各種H橋配置中，它們不僅可是分立器件也可集成到IC。
MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪...MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅動功率小、動態范圍大、安全工作區域(SOA)寬等一系列的優點，因此被廣泛的...
KIA3400采用先進的溝槽技術，提供出色的RDS（on），低柵極電荷并在低至2.5V的柵...KIA3400采用先進的溝槽技術，提供出色的RDS（on），低柵極電荷并在低至2.5V的柵極電壓下運行。該裝置適用于負載開關或PWM應用。標準產品KIA3400是無鉛的（符合ROH...
