MOS管2810 參數(shù)100V150A產(chǎn)品特點(diǎn) RDS(on)=5.0mΩ@VGS=10V 超高密度電池設(shè)計(jì) ...MOS管2810 參數(shù)100V150A產(chǎn)品特點(diǎn) RDS(on)=5.0mΩ@VGS=10V 超高密度電池設(shè)計(jì) 超低導(dǎo)通電阻 雪崩測(cè)試100% 提供無(wú)鉛和綠色設(shè)備（符合RoHS）
功率管開(kāi)關(guān)管箝位電路原理如圖1所示，當(dāng)開(kāi)關(guān)管Q開(kāi)通時(shí),電容Cs兩端壓降為晶體管...功率管開(kāi)關(guān)管箝位電路原理如圖1所示，當(dāng)開(kāi)關(guān)管Q開(kāi)通時(shí),電容Cs兩端壓降為晶體管飽和壓降,接近于零。開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí),二極管將電阻Rs短路為電感電流iL提供放電通道，電...
高邊（HS）MOSFET則通過(guò)RG_EXT連接?xùn)艠O引腳和源極引腳或驅(qū)動(dòng)器源極引腳，并且僅...高邊（HS）MOSFET則通過(guò)RG_EXT連接?xùn)艠O引腳和源極引腳或驅(qū)動(dòng)器源極引腳，并且僅用于體二極管的換流工作。在電路圖中，實(shí)線是連接到源極引腳的示意圖，虛線是連接到...
下圖中的電路不難在面包板上搭出來(lái)，最好把功率器件（PROFET或MOSFET）單獨(dú)放在...下圖中的電路不難在面包板上搭出來(lái)，最好把功率器件（PROFET或MOSFET）單獨(dú)放在一塊板上，并配上散熱器。看看后面的實(shí)物電路照片，功率器件必須要和供電電源或者蓄...
在PWM控制芯片及其它電源控制器的內(nèi)部，集成了用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFET的Totem圖騰柱...在PWM控制芯片及其它電源控制器的內(nèi)部，集成了用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFET的Totem圖騰柱驅(qū)動(dòng)器，最簡(jiǎn)單的圖騰柱驅(qū)動(dòng)器如圖1所示，由一個(gè)NPN三極管和一個(gè)PNP三極管對(duì)管組成...
KNX7606A是性能最高的N溝道m(xù)osfet，為大多數(shù)同步buck變換器提供優(yōu)良的RDSON和柵...KNX7606A是性能最高的N溝道m(xù)osfet，為大多數(shù)同步buck變換器提供優(yōu)良的RDSON和柵極電荷，KNX7606A符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求。
