MOS管導(dǎo)通時，Rds會從無窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆級或者更低)。柵極電阻過大...MOS管導(dǎo)通時，Rds會從無窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆級或者更低)。柵極電阻過大時，MOS管導(dǎo)通速度過慢，即Rds的減小要經(jīng)過一段時間，高壓時Rds會消耗大量功率，導(dǎo)...
KIA12N65H N溝道增強(qiáng)型MOSFET；12N65參數(shù)650V12A；12N65引腳TO-220F；12N65場效...KIA12N65H N溝道增強(qiáng)型MOSFET；12N65參數(shù)650V12A；12N65引腳TO-220F；12N65場效應(yīng)管中文資料規(guī)格書12N65引腳圖
這些N溝道增強(qiáng)模式的功率場效應(yīng)晶體管是用KIA半導(dǎo)體制造的專有、平面、DMOS技術(shù)...這些N溝道增強(qiáng)模式的功率場效應(yīng)晶體管是用KIA半導(dǎo)體制造的專有、平面、DMOS技術(shù)。這項(xiàng)先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過了特別的調(diào)整，以使其最小化通態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開關(guān)性能，并...
MOSFET的失效很多都是由于過熱導(dǎo)致的，那么在選件選型，電路設(shè)計及PCB布局時就...MOSFET的失效很多都是由于過熱導(dǎo)致的，那么在選件選型，電路設(shè)計及PCB布局時就要格外注意應(yīng)用情況和設(shè)計余量，確保MOSFET的Tj不會超過其最大值。
總功率損耗Ptot的定義是：在焊接襯底溫度維持在25℃時，器件達(dá)到最大結(jié)點(diǎn)溫度時...總功率損耗Ptot的定義是：在焊接襯底溫度維持在25℃時，器件達(dá)到最大結(jié)點(diǎn)溫度時所用的功率。可以用公式Tj=Tmb+Rth_j-mb*Ptot來表達(dá)，節(jié)點(diǎn)溫度才是最終的MOSFET是否...
如果可以把電流始終限制在I_SET以下，可以去掉限流電阻，讓電流保持略小于I_SE...如果可以把電流始終限制在I_SET以下，可以去掉限流電阻，讓電流保持略小于I_SET，快速充電。如下圖，電流曲線的積分為V_CL，左右兩圖的陰影面積大小相同，可以看出...
