MOS管導通時,Rds會從無窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆級或者更低)。柵極電阻過大...MOS管導通時,Rds會從無窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆級或者更低)。柵極電阻過大時,MOS管導通速度過慢,即Rds的減小要經過一段時間,高壓時Rds會消耗大量功率,導...
KIA12N65H N溝道增強型MOSFET;12N65參數650V12A;12N65引腳TO-220F;12N65場效...KIA12N65H N溝道增強型MOSFET;12N65參數650V12A;12N65引腳TO-220F;12N65場效應管中文資料規格書12N65引腳圖
這些N溝道增強模式的功率場效應晶體管是用KIA半導體制造的專有、平面、DMOS技術...這些N溝道增強模式的功率場效應晶體管是用KIA半導體制造的專有、平面、DMOS技術。這項先進的技術經過了特別的調整,以使其最小化通態電阻,提供優越的開關性能,并...
MOSFET的失效很多都是由于過熱導致的,那么在選件選型,電路設計及PCB布局時就...MOSFET的失效很多都是由于過熱導致的,那么在選件選型,電路設計及PCB布局時就要格外注意應用情況和設計余量,確保MOSFET的Tj不會超過其最大值。
總功率損耗Ptot的定義是:在焊接襯底溫度維持在25℃時,器件達到最大結點溫度時...總功率損耗Ptot的定義是:在焊接襯底溫度維持在25℃時,器件達到最大結點溫度時所用的功率。可以用公式Tj=Tmb+Rth_j-mb*Ptot來表達,節點溫度才是最終的MOSFET是否...
如果可以把電流始終限制在I_SET以下,可以去掉限流電阻,讓電流保持略小于I_SE...如果可以把電流始終限制在I_SET以下,可以去掉限流電阻,讓電流保持略小于I_SET,快速充電。如下圖,電流曲線的積分為V_CL,左右兩圖的陰影面積大小相同,可以看出...