用萬用表判別KIA器件VMOS的引腳和好壞判別VMOS的引腳需求以下幾步，請留意，這...用萬用表判別KIA器件VMOS的引腳和好壞判別VMOS的引腳需求以下幾步，請留意，這是在你能肯定VMOS完好的狀況下停止的判別，假如不曉得它的好壞，請先參考本節(jié)內(nèi)容的...
KIA封裝小型化的趨向小僅僅是為了順應(yīng)輕薄產(chǎn)品的需求，更為重要的是進(jìn)步性價(jià)比...KIA封裝小型化的趨向小僅僅是為了順應(yīng)輕薄產(chǎn)品的需求，更為重要的是進(jìn)步性價(jià)比：封裝本錢、物流（重量輕了、體積小了）、熱阻、EMI（引線電感減小了）均有降落的趨...
客戶的目光通常和你的目光是完整不一樣，沒經(jīng)歷根底的話只能讓客戶幫我們選款，...客戶的目光通常和你的目光是完整不一樣，沒經(jīng)歷根底的話只能讓客戶幫我們選款，不能本人武斷決議。一款好的產(chǎn)品或好的樣式假如不能得到市場的認(rèn)可
槽柵構(gòu)造有利于進(jìn)步電流控制才能，但是結(jié)電容大，不利于工作頻率的提高。將平而...槽柵構(gòu)造有利于進(jìn)步電流控制才能，但是結(jié)電容大，不利于工作頻率的提高。將平而柵極構(gòu)造與雙擴(kuò)散有機(jī)分離起來，就LDMOS(Lateral DoubleDiffuse MOSFET，橫向雙擴(kuò)散...
常用場效應(yīng)管主要有結(jié)型場效應(yīng)管、耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管、加強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管...常用場效應(yīng)管主要有結(jié)型場效應(yīng)管、耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管、加強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管、雙柵場效應(yīng)管、功率場效應(yīng)管等。
對于VMOS而言，柵極懸空無論是何種條件下都是應(yīng)該盡量避免的，稍有不慎，就會(huì)導(dǎo)...對于VMOS而言，柵極懸空無論是何種條件下都是應(yīng)該盡量避免的，稍有不慎，就會(huì)導(dǎo)致VMOS擊穿損壞。這時(shí)候的擊穿一般是柵極與源極擊穿，而不管源極、漏極間的電壓是高...
