KIA7P03A場效應管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流為-7.5A；采用先進的高密度溝槽技...KIA7P03A場效應管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流為-7.5A；采用先進的高密度溝槽技術，具有超低柵電荷、優良的CDV / dt效應遞減等；封裝形式：SOP-8。KIA7P03A場效應管...
2306場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為3.5A；極低RDS（on）的高密度單元設計...2306場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為3.5A；極低RDS（on）的高密度單元設計、無鉛產品、堅固可靠；封裝形式：SOT-23。2306場效應管非常適合應用于LED感應燈、...
3415場效應管漏源擊穿電壓-16V，漏極電流為-4A；極低RDS（on）的高密度單元設計...3415場效應管漏源擊穿電壓-16V，漏極電流為-4A；極低RDS（on）的高密度單元設計、無鉛產品、堅固可靠；封裝形式：SOT-23。3415場效應管非常適合使用于蘋果充電頭、...
KIA2302漏源擊穿電壓20V，漏極電流為3A；極低RDS（on）的高密度單元設計、無鉛...KIA2302漏源擊穿電壓20V，漏極電流為3A；極低RDS（on）的高密度單元設計、無鉛產品、堅固可靠；封裝形式：SOT-23。KIA2302 20V 3A 0.065Ω SOT-23場效應管MOSFET能...
3401場效應管漏源電壓-30V，漏極電流為-4A，3401采用先進的溝槽技術，提供優良...3401場效應管漏源電壓-30V，漏極電流為-4A，3401采用先進的溝槽技術，提供優良的RDS(on)，低柵極電荷工作電壓低至2.5V。該器件適用于作為負載開關或PWM應用程序。...
KIA2301漏源擊穿電壓-20V，漏極電流為-2.8A；極低RDS（on）的高密度單元設計、...KIA2301漏源擊穿電壓-20V，漏極電流為-2.8A；極低RDS（on）的高密度單元設計、無鉛產品、堅固可靠；封裝形式：SOT-23。KIA2301應用于小家電方案，高效率低損耗。
