KIA40N06B場效應管采用先進的高細胞密度溝槽技術，具備出色的性能，漏源擊穿電...KIA40N06B場效應管采用先進的高細胞密度溝槽技術，具備出色的性能，漏源擊穿電壓60V，漏極電流38A，在VDS為60V時，RDS（開啟）僅為14m?，表現出卓越的導通能力、...
KNX4360A場效應管是一款性能優越的器件，漏源擊穿電壓高達600V，漏極電流4.0A，...KNX4360A場效應管是一款性能優越的器件，漏源擊穿電壓高達600V，漏極電流4.0A，RDS（ON）為1.9Ω（在VGS=10V，ID=2A時），表現出卓越的導通特性，這款場效應管具有...
KIA30N03B場效應管具備出色的性能參數，漏源擊穿電壓30V，漏極電流30A，采用先...KIA30N03B場效應管具備出色的性能參數，漏源擊穿電壓30V，漏極電流30A，采用先進的高細胞密度溝槽技術，具有超低的柵極電荷，RDS（開）參數為15m? @ VDS=30V，較...
KIA30N06B場效應管是一款先進高密度溝槽技術的電子元件，漏源擊穿電壓60V，漏極...KIA30N06B場效應管是一款先進高密度溝槽技術的電子元件，漏源擊穿電壓60V，漏極電流25A，具有出色的性能指標，?在VDS為60V時，其RDS(on)僅為25mΩ，表現出超低的...
KIA6035A場效應管的漏源擊穿電壓高達350V，漏極電流可達11A，適用于各種高壓應...KIA6035A場效應管的漏源擊穿電壓高達350V，漏極電流可達11A，適用于各種高壓應用場合，RDS（ON）僅為0.38Ω，在10V的VGS下表現出色、低柵極電荷，僅為15nC，有助于...
KNX4820B場效應管漏源擊穿電壓200V，漏極電流9A，采用了專有新型平面技術，是一...KNX4820B場效應管漏源擊穿電壓200V，漏極電流9A，采用了專有新型平面技術，是一款高性能的器件，RDS（ON），典型=250mΩ@VGS=10V，保證了穩定的工作狀態、低柵極電...
