典型的MOSFET包括源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）。在功率MOSFET...典型的MOSFET包括源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）。在功率MOSFET中，通常還有一個額外的區域，稱為體區（Bulk或Body），這個區域與源極相連。由于MO...
場效應管-FET和MOS管-MOSFET在結構、工作原理和應用方面有所區別。場效應管(FE...場效應管-FET和MOS管-MOSFET在結構、工作原理和應用方面有所區別。場效應管(FET)是一個更廣泛的概念，包括結型場效應管(JFET)和金屬-氧化物半導體場效應管(MOS-FE...
MOS管，全稱金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-E...MOS管，全稱金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)，MOSFET。MOS管是一種半導體器件，工作原理是基于其內部的絕緣柵...
速度飽和效應：在強電場環境下，載流子的漂移速度隨電場強度的增加而增加的幅度...速度飽和效應：在強電場環境下，載流子的漂移速度隨電場強度的增加而增加的幅度逐漸降低，并最終趨于飽和狀態的現象。
PC817光耦合器，由一個紅外發射二極管（IRLED）和一個與其光耦合的光電晶體管組...PC817光耦合器，由一個紅外發射二極管（IRLED）和一個與其光耦合的光電晶體管組成，具有隔離、放大和變換信號等功能，在電子電路中應用廣泛。PC817利用光耦合效應...
肖特基勢壘（Schottky Barrier），是指具有整流特性的金屬-半導體接觸，即具有...肖特基勢壘（Schottky Barrier），是指具有整流特性的金屬-半導體接觸，即具有大的勢壘高度，以及摻雜濃度比導帶或價帶上態密度低的金屬-半導體接觸，就如同二極管...
