左圖在控制端從低電平往高電平切換時，Vbe>0，Q2關斷，充電電流從二極管D流入，...左圖在控制端從低電平往高電平切換時，Vbe>0，Q2關斷，充電電流從二極管D流入，Q1開啟；右圖在控制端從高電平往低電平切換時，G極電平不會瞬間變化，此時Vbe<-0.7...
襯底材料對MOSFET的閾值電壓有顯著影響。例如，普通的MOSFET襯底材料為硅晶片，...襯底材料對MOSFET的閾值電壓有顯著影響。例如，普通的MOSFET襯底材料為硅晶片，但在高溫、高電場下易發生擊穿，從而降低了閾值電壓。因此，一些高溫處理的MOSFET采...
KNH9120A場效應管采用專有新型平面技術，漏源擊穿電壓200V，漏極電流40A，RDS（...KNH9120A場效應管采用專有新型平面技術，漏源擊穿電壓200V，漏極電流40A，RDS（ON）=3.6Ω（典型值）@VGS=10V，低導通電阻有助于減少功率損耗和發熱，具有低柵極電...
MOSFET的關斷時間與其柵極電容（Cgs）有關。減小柵極電容可以減少充放電時間，...MOSFET的關斷時間與其柵極電容（Cgs）有關。減小柵極電容可以減少充放電時間，從而加速關斷過程。這可以通過優化布局、使用更小的柵極面積或選擇具有更低柵極電容...
提高驅動電路提供的柵極驅動電壓和電流，增大驅動強度可以加速MOSFET的開啟和關...提高驅動電路提供的柵極驅動電壓和電流，增大驅動強度可以加速MOSFET的開啟和關斷過程。減小柵極驅動電阻Rg可以提供更大的瞬態電流，從而加快MOSFET的開關速度。而...
KNF4390A采用專有新型平面技術，漏源擊穿電壓900V，漏極電流4A，能夠承受高達9...KNF4390A采用專有新型平面技術，漏源擊穿電壓900V，漏極電流4A，能夠承受高達900伏特的電壓，適用于需要高耐壓的應用場景，RDS（ON）=3.6Ω（典型值）@VGS=10V，低...
