全橋逆變器使用四個開關管，而半橋逆變器使用兩個開關管。和半橋相比，全橋的開...全橋逆變器使用四個開關管，而半橋逆變器使用兩個開關管。和半橋相比，全橋的開關管數量增加了一倍，但是在相同的開關電流下，全橋電路的輸出功率是半橋的兩倍。
如果沒有二極管，?當開關管導通時，?電容的放電路徑會增加，?導致能量的不必...如果沒有二極管，?當開關管導通時，?電容的放電路徑會增加，?導致能量的不必要損失，?降低電路效率。?二極管的加入有效地阻止了這種能量損失，?提高了電路的...
nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎閾值...nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎閾值電壓，γ為晶體管的偏置系數，φF為晶體管的反向偏置電勢，Cox為晶體管的歐姆容量。...
在CMOS器件工藝中，當導電溝道長度降低到十幾納米，甚至幾納米量級時，晶體管出...在CMOS器件工藝中，當導電溝道長度降低到十幾納米，甚至幾納米量級時，晶體管出現一些效應。這些效應主要包括閾值電壓Vth隨著溝道長度降低而降低，載流子表面散射...
當P型半導體和N型半導體接合在一起時，由于P型半導體中的空穴濃度較高，而N型半...當P型半導體和N型半導體接合在一起時，由于P型半導體中的空穴濃度較高，而N型半導體中的電子濃度較高，因此會形成擴散運動，并且P型半導體中的空穴將向其濃度較低...
對pn結施加的反向偏壓增大到某一數值VBR時，反向電流密度突然開始迅速增大的現...對pn結施加的反向偏壓增大到某一數值VBR時，反向電流密度突然開始迅速增大的現象稱為pn結擊穿。發生擊穿時的反向電壓稱為pn結的擊穿電壓。 PN結的擊穿主要分為三...
