在MOS管導通時,輸入電壓為電感充電,電流在電感中線性增加。此時,電感儲存能...在MOS管導通時,輸入電壓為電感充電,電流在電感中線性增加。此時,電感儲存能量,而負載由電容供電。當MOS管關閉時,電感的電流保持不變(由于電感的電流保持特性...
基本邏輯門如與門、或門、非門、與非門、或非門、異或門和同或門等。下面是邏輯...基本邏輯門如與門、或門、非門、與非門、或非門、異或門和同或門等。下面是邏輯門電路的國際圖形符號和限定符號(GB/T4728.12-1996)、國外流行圖形符號和曾用圖形符...
ao3415場效應管代換型號KIA3415漏源擊穿電壓-16V,漏極電流為-4A;采用先進的高...ao3415場效應管代換型號KIA3415漏源擊穿電壓-16V,漏極電流為-4A;采用先進的高密度單元設計溝槽技術,極低RDS導通、低柵極電荷和低至1.8V的柵極電壓操作、無鉛產...
理想運算放大器具有無限大的開環增益、無限大的輸入阻抗和零輸出阻抗,這使得其...理想運算放大器具有無限大的開環增益、無限大的輸入阻抗和零輸出阻抗,這使得其輸出電壓能夠達到所需的任何值,而不受放大器內部電壓或電流限制的影響。? 在負反...
tip42c參數: ?集電極-發射極電壓(VCEO)?:最高可達-100V,適用于電壓低于...tip42c參數: ?集電極-發射極電壓(VCEO)?:最高可達-100V,適用于電壓低于100V的電路。 ?集電極持續電流(Ic)?:最大為-6A,適合需要更高電流驅動的負載
21n50場效應管代換型號KIA20N50HF漏源擊穿電壓500V,漏極電流20A,低導通電阻R...21n50場效應管代換型號KIA20N50HF漏源擊穿電壓500V,漏極電流20A,低導通電阻RDS(on)0.21Ω,低柵極電荷(典型值為70nC),減少導電損耗,最小化開關損耗;具備快...