在MOS管導通時，輸入電壓為電感充電，電流在電感中線性增加。此時，電感儲存能...在MOS管導通時，輸入電壓為電感充電，電流在電感中線性增加。此時，電感儲存能量，而負載由電容供電。當MOS管關(guān)閉時，電感的電流保持不變（由于電感的電流保持特性...
基本邏輯門如與門、或門、非門、與非門、或非門、異或門和同或門等。下面是邏輯...基本邏輯門如與門、或門、非門、與非門、或非門、異或門和同或門等。下面是邏輯門電路的國際圖形符號和限定符號(GB/T4728.12-1996)、國外流行圖形符號和曾用圖形符...
ao3415場效應管代換型號KIA3415漏源擊穿電壓-16V，漏極電流為-4A；采用先進的高...ao3415場效應管代換型號KIA3415漏源擊穿電壓-16V，漏極電流為-4A；采用先進的高密度單元設(shè)計溝槽技術(shù)，極低RDS導通、低柵極電荷和低至1.8V的柵極電壓操作、無鉛產(chǎn)...
理想運算放大器具有無限大的開環(huán)增益、無限大的輸入阻抗和零輸出阻抗，這使得其...理想運算放大器具有無限大的開環(huán)增益、無限大的輸入阻抗和零輸出阻抗，這使得其輸出電壓能夠達到所需的任何值，而不受放大器內(nèi)部電壓或電流限制的影響。? 在負反...
tip42c參數(shù)： ?集電極-發(fā)射極電壓（VCEO）?：最高可達-100V，適用于電壓低于...tip42c參數(shù)： ?集電極-發(fā)射極電壓（VCEO）?：最高可達-100V，適用于電壓低于100V的電路。 ?集電極持續(xù)電流（Ic）?：最大為-6A，適合需要更高電流驅(qū)動的負載
21n50場效應管代換型號KIA20N50HF漏源擊穿電壓500V，漏極電流20A，低導通電阻R...21n50場效應管代換型號KIA20N50HF漏源擊穿電壓500V，漏極電流20A，低導通電阻RDS(on)0.21Ω，低柵極電荷（典型值為70nC），減少導電損耗，最小化開關(guān)損耗；具備快...
