RS單體吸收電路 ( 1 )抑制關(guān)斷浪涌電壓效果好。 ( 2 )最適用于斬波器。 ( 3...RS單體吸收電路 ( 1 )抑制關(guān)斷浪涌電壓效果好。 ( 2 )最適用于斬波器。 ( 3 ) IGBT容量較大時(shí), R1 , R2阻值選取小,開(kāi)通時(shí)增加了IGBT集電極的容性開(kāi)通電流,損耗...
分布電壓就是由兩個(gè)存在壓差而又相互絕緣的導(dǎo)體所產(chǎn)生的。其實(shí)在任何電路中，任...分布電壓就是由兩個(gè)存在壓差而又相互絕緣的導(dǎo)體所產(chǎn)生的。其實(shí)在任何電路中，任何兩個(gè)存在壓差的絕緣導(dǎo)體之間都會(huì)形成分布電容，只是大小不同的問(wèn)題。一般在高頻電...
開(kāi)關(guān)電源的主元件大都有寄生電感與電容，寄生電容Cp一般都與開(kāi)關(guān)元件或二極管并...開(kāi)關(guān)電源的主元件大都有寄生電感與電容，寄生電容Cp一般都與開(kāi)關(guān)元件或二極管并聯(lián)，而寄生電感L通常與其串聯(lián)。由于這些寄生電容與電感的作用，開(kāi)關(guān)元件在通斷工作...
從上圖可以看到，尖峰脈沖吸收電路就是一個(gè)RC吸收電路。至于在DC/DC哪里加RC吸...從上圖可以看到，尖峰脈沖吸收電路就是一個(gè)RC吸收電路。至于在DC/DC哪里加RC吸收電路，這里有一個(gè)規(guī)律，就是在開(kāi)關(guān)管開(kāi)/關(guān)的時(shí)候，跟電感形成一個(gè)回路。
首先來(lái)看看MOS應(yīng)力公式：（理想化處理，不影響結(jié)論） Vds=Vin+n*Vo+Vspike =...首先來(lái)看看MOS應(yīng)力公式：（理想化處理，不影響結(jié)論） Vds=Vin+n*Vo+Vspike =Vin+n*Vo+Ipk*（Lk/C1）0.5 這里兩個(gè)主要參數(shù)的意義： 1、Lk是變壓器漏感（實(shí)際還...
SJ MOSFET的技術(shù)主要有兩種，其一為由英飛凌（Infineon）開(kāi)發(fā)的多磊晶技術(shù)，藉...SJ MOSFET的技術(shù)主要有兩種，其一為由英飛凌（Infineon）開(kāi)發(fā)的多磊晶技術(shù)，藉由摻雜（doping）磊晶在磊晶層上形成島狀的摻雜區(qū)域，使該區(qū)域擴(kuò)散形成一個(gè)氮摻雜（...
