P-SUB工藝，NMOS 的襯底都是一樣的，都是P-SUB，所以不可以將源極和襯底接一塊...P-SUB工藝，NMOS 的襯底都是一樣的，都是P-SUB，所以不可以將源極和襯底接一塊，不然通過襯底短接會影響其他NMOS的特性，因此NMOS的襯底只能接GND（低電位）；
RDS(on) =3.5mΩ（typ.）@ VGS =10V 100%雪崩測試 可靠、堅固耐用 無鉛和綠...RDS(on) =3.5mΩ（typ.）@ VGS =10V 100%雪崩測試 可靠、堅固耐用 無鉛和綠色設備可用（符合RoHS標準）
鉗位器（clamper）可以將輸入波形整體上移或下移，“clamper”在 英語中的原意...鉗位器（clamper）可以將輸入波形整體上移或下移，“clamper”在 英語中的原意是“夾具”的意思，很形象地說明了它可以把波形任意鉗夾在某個電平處。
近年來，以碳化硅（Silicon Carbide, SiC）MOSFET 為代表的寬禁帶半導體器件因...近年來，以碳化硅（Silicon Carbide, SiC）MOSFET 為代表的寬禁帶半導體器件因其具有高開關頻率、高開關速度、高熱導率等優點，已成為高頻、高溫、高功率密度電力...
①插入式封裝：TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92； ②表面貼裝...①插入式封裝：TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92； ②表面貼裝式：TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN5*6、DFN3*3；
超結結構的功率MOSFET在VDS電壓上升、橫向電場建立產生耗盡層（空間電荷區）過...超結結構的功率MOSFET在VDS電壓上升、橫向電場建立產生耗盡層（空間電荷區）過程中，N型漂移層兩側的空間電荷區邊界會向中心移動，如圖2所示，隨著VDS電壓的升高，...
