儲能:電路的耗電有時候大,有時候小,當耗電突然增大的時候如果沒有電容,電源...儲能:電路的耗電有時候大,有時候小,當耗電突然增大的時候如果沒有電容,電源電壓會被拉低,產生噪聲,振鈴,嚴重會導致CPU重啟,這時候大容量的電容可以暫時把...
如圖所示MOS管驅動電路,定性分析可知,當MOS管關斷時,MOS管兩端應力為Vds,此...如圖所示MOS管驅動電路,定性分析可知,當MOS管關斷時,MOS管兩端應力為Vds,此時Vds向Cgd和Cgs充電,可能導致Vgs達到Vgs(th)導致MOS管誤導通。
弱反型區,溝道消失,流過溝道的漂移電流變為擴散電流。模型的表達式變為指數特...弱反型區,溝道消失,流過溝道的漂移電流變為擴散電流。模型的表達式變為指數特性而不是平方律 弱反型區適合低功耗電路,因為電流很小,但問題在于較大的噪聲以及...
對于NMOS,當襯源PN結正偏時,會帶來閂鎖效應(Latch-up),所以VBS<0,背柵效...對于NMOS,當襯源PN結正偏時,會帶來閂鎖效應(Latch-up),所以VBS<0,背柵效應會導致閾值電壓變大,電流IDS減小。
前級同向端輸入電壓信號給LM324,運放負自身負反饋需要動態平衡,此時,同相端、...前級同向端輸入電壓信號給LM324,運放負自身負反饋需要動態平衡,此時,同相端、反相端電壓相等(V+=V-)。由此R1上的電壓就是同相端輸入電壓,R1采樣電阻上流過的恒...
Vds與Vdsat的關系 Vds > Vdsat時,region變為2,為了保證PVT下電路仍處于飽和...Vds與Vdsat的關系 Vds > Vdsat時,region變為2,為了保證PVT下電路仍處于飽和區,需要讓Vds -Vdsat大于某個經驗值。