如圖電源端（高壓側(cè)）的兩個N溝道功率MOSFET的充電和放電是一種常見的PCM方案，...如圖電源端（高壓側(cè)）的兩個N溝道功率MOSFET的充電和放電是一種常見的PCM方案，其漏極背靠背連接。 Q1是用于電池放電的功率MOSFET，Q2是用于電池充電的功率MOSFET...
施加正向電壓：當(dāng)晶閘管的陽極和陰極之間施加正向電壓時，晶閘管并不會立即導(dǎo)通...施加正向電壓：當(dāng)晶閘管的陽極和陰極之間施加正向電壓時，晶閘管并不會立即導(dǎo)通。 觸發(fā)信號注入：此時，需要在門極和陰極之間注入一個正向觸發(fā)脈沖信號。 晶閘管...
KNF6140S場效應(yīng)管漏源擊穿電壓400V，漏極電流11A，極低導(dǎo)通電阻RDS(on)=0.53Ω...KNF6140S場效應(yīng)管漏源擊穿電壓400V，漏極電流11A，極低導(dǎo)通電阻RDS(on)=0.53Ω，低柵極電荷15.7nC，可最大限度地減少導(dǎo)電損失；具有高堅(jiān)固性、快速切換、100%雪崩...
它在B處提供一系列窄脈沖，當(dāng)電容充電到UT的峰值電壓(V_)時，UJT開啟。這會在發(fā)...它在B處提供一系列窄脈沖，當(dāng)電容充電到UT的峰值電壓(V_)時，UJT開啟。這會在發(fā)射極–基極1結(jié)上放置一個低電阻，并且發(fā)射極電流流過脈沖變壓器的初級，將柵極信號...
分立器件 結(jié)構(gòu)：在硅片上通過摻雜、擴(kuò)散等工藝形成，通常只有一個或少數(shù)幾個P...分立器件 結(jié)構(gòu)：在硅片上通過摻雜、擴(kuò)散等工藝形成，通常只有一個或少數(shù)幾個PN結(jié)。 功能：具有單獨(dú)功能的電子器件，如二極管、晶體管等。
KND6610A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流15A，?采用先進(jìn)的平面溝槽技術(shù)，...KND6610A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流15A，?采用先進(jìn)的平面溝槽技術(shù)，極低導(dǎo)通電阻RDS(on)=83mΩ，可最大限度地減少導(dǎo)電損失，提供卓越的開關(guān)性能，并能夠...
