應(yīng)用領(lǐng)域-KIA半導(dǎo)體-廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司

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圖文分析MOS管小信號模型-KIA MOS管

在飽和區(qū)時MOS管的漏極電流是柵源電壓的函數(shù),即為一個壓控電流源，電流值為，且...在飽和區(qū)時MOS管的漏極電流是柵源電壓的函數(shù),即為一個壓控電流源，電流值為，且由于柵源之間的低頻阻抗很高，因此可得到一個理想的MOS管的小信號模型，如圖所示。...

晶體管-自舉放大器電路分析-KIA MOS管

放大器是電子產(chǎn)品的組成部分，用于放大低幅度信號。放大器在增強信號方面起著非...放大器是電子產(chǎn)品的組成部分，用于放大低幅度信號。放大器在增強信號方面起著非常重要的作用，特別是在音頻和電力電子方面。

圖文詳解：MOSFET和BJT之間的區(qū)別-KIA MOS管

場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)是兩種封裝形式各異的晶體管，雖然...場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)是兩種封裝形式各異的晶體管，雖然MOSFET和BJT都是晶體管，但它們的工作方式不同，表現(xiàn)出不同的行為，因此它們的使用方...

MOSFET放大器電路、工作原理及過程-KIA MOS管

MOSFET放大器簡單電路圖如下圖所示，在該電路中，漏極電壓 (VD)、漏極電流 (ID...MOSFET放大器簡單電路圖如下圖所示，在該電路中，漏極電壓 (VD)、漏極電流 (ID)、柵源電壓 (VGS) 以及柵極、源極和漏極的位置通過字母“G”、“S”和“ D”。

MOSFET放大器共源極、共柵極、共漏極三種類型-KIA MOS管...

共源放大器可以定義為當(dāng) i/p信號在柵極 (G) 和源 (S) 的兩端給出時，o/p電壓可...共源放大器可以定義為當(dāng) i/p信號在柵極 (G) 和源 (S) 的兩端給出時，o/p電壓可以通過漏極內(nèi)負(fù)載處的電阻器放大和獲得。在此配置中，源端子充當(dāng)i/p和o/p之間的公共...