假定設(shè)計電路中的功率MOSFET的總計算功耗為10W。該器件的最高結(jié)溫為150℃。考慮...假定設(shè)計電路中的功率MOSFET的總計算功耗為10W。該器件的最高結(jié)溫為150℃。考慮到結(jié)到外殼還存在溫差，那么MOSFET的實際外殼溫度必須保持在等于或低于100°C才能可...
與傳統(tǒng)平面MOSFET技術(shù)相比，超級結(jié)MOSFET可顯著降低導(dǎo)通電阻和寄生電容。導(dǎo)通電...與傳統(tǒng)平面MOSFET技術(shù)相比，超級結(jié)MOSFET可顯著降低導(dǎo)通電阻和寄生電容。導(dǎo)通電阻的顯著降低和寄生電容的降低雖然有助于提高效率，但也產(chǎn)生電壓（dv/dt）和電流（...
開關(guān)電源、電機驅(qū)動以及一些電力電子變換器通常會使用功率器件，在設(shè)計過程中要...開關(guān)電源、電機驅(qū)動以及一些電力電子變換器通常會使用功率器件，在設(shè)計過程中要測量功率MOSFET或IGBT結(jié)溫，保證其在合理安全的工作范圍，因為功率器件結(jié)溫與其安全...
比較平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，可以發(fā)現(xiàn)，超結(jié)型結(jié)構(gòu)實際是綜合了平面型...比較平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，可以發(fā)現(xiàn)，超結(jié)型結(jié)構(gòu)實際是綜合了平面型和溝槽型結(jié)構(gòu)兩者的特點，是在平面型結(jié)構(gòu)中開一個低阻抗電流通路的溝槽，因此具有平...
如下圖所示，平面結(jié)構(gòu)是平面性地構(gòu)成晶體管。這種結(jié)構(gòu)當(dāng)耐壓提高時，漂移層會增...如下圖所示，平面結(jié)構(gòu)是平面性地構(gòu)成晶體管。這種結(jié)構(gòu)當(dāng)耐壓提高時，漂移層會增厚，存在導(dǎo)通電阻增加的課題。而超級結(jié)結(jié)構(gòu)是排列多個垂直PN結(jié)的結(jié)構(gòu)，可保持耐壓的...
當(dāng)輸入電壓Ui升高或負載變輕，引起輸出電壓Uo升高后，該電壓通過R2、RP、R3分壓...當(dāng)輸入電壓Ui升高或負載變輕，引起輸出電壓Uo升高后，該電壓通過R2、RP、R3分壓產(chǎn)生的取樣電壓升高，該電壓加到VT2的基極，由于VT2的發(fā)射極電位不變，所以VT2導(dǎo)通...
