VT1和VT2構成多諧振蕩器，振蕩頻率為5Hz。當電壓下降時，為使頻率不變，振蕩器...VT1和VT2構成多諧振蕩器，振蕩頻率為5Hz。當電壓下降時，為使頻率不變，振蕩器由穩壓管VD1穩壓后供電。多諧振蕩器輸出輸出的方波電壓，直接推動VMOS大功率管，經變...
在圖2中，用一個P溝道MOSFET代替圖1中的二極管VD2。切換到電池時，MOSFET導通，...在圖2中，用一個P溝道MOSFET代替圖1中的二極管VD2。切換到電池時，MOSFET導通，電池向負載供電。接入交流適配器時，MOSFET的柵極電壓高于其源極電壓，處于關斷狀態...
KNY3403B場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流85A，采用改進的工藝和單元結構特別...KNY3403B場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流85A，采用改進的工藝和單元結構特別定制，低導通電阻RDS(on)=4.5mΩ，最大限度地降低導通電阻，減少損耗，提供卓越的開...
VIN引腳作為電池充電的輸入電源，其工作電壓范圍為5V至18V。 CS引腳是TP5100的...VIN引腳作為電池充電的輸入電源，其工作電壓范圍為5V至18V。 CS引腳是TP5100的充電功能使能引腳。通過控制其邏輯電平，工程師可以調整鋰電池的充電電壓。通常，該...
在PN結中，由于自由電子的擴散運動和內電場導致的漂移運動，PN結中間的部位（P...在PN結中，由于自由電子的擴散運動和內電場導致的漂移運動，PN結中間的部位（P區和N區交界面）會產生一個很薄的電荷區，這就是空間電荷區。
KNY3303A場效應管采用先進的平面條形DMOS技術生產，漏源擊穿電壓30V，漏極電流...KNY3303A場效應管采用先進的平面條形DMOS技術生產，漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A，低導通電阻RDS(on)=3.1mΩ，最大限度地降低導通電阻，減少損耗，提供卓越的開關...
