KNP2915A TO-220 150V130A-描述： SGT MOSFET技術 先進的溝槽MOS技術 低柵極...KNP2915A TO-220 150V130A-描述： SGT MOSFET技術 先進的溝槽MOS技術 低柵極電荷 RDS低（ON）
方法一： dc掃描 AVDD 從-3掃到3V tools-result Brower-dcOpinfo-選定M0的Cg...方法一： dc掃描 AVDD 從-3掃到3V tools-result Brower-dcOpinfo-選定M0的Cgg
當MOSFET工作在開關狀態時，隨著VGS的通/斷，MOSFET是在截止區和可變電阻區來回...當MOSFET工作在開關狀態時，隨著VGS的通/斷，MOSFET是在截止區和可變電阻區來回切換的，在切換過程中可能會經過飽和區。
KIA3510A 75A 100V-特征 RDS（打開）=9mΩ（典型值）@VGS=10V 100%雪崩測試 ...KIA3510A 75A 100V-特征 RDS（打開）=9mΩ（典型值）@VGS=10V 100%雪崩測試 可靠且堅固 提供無鉛和綠色設備（符合RoHS標準）
利用CMOS反相器為傳輸門的控制端提供一對互補的控制信號，這種電路結構實現了可...利用CMOS反相器為傳輸門的控制端提供一對互補的控制信號，這種電路結構實現了可控單刀單擲開關的功能，因而被稱為雙向模擬開關，圖中符號EN端子稱為模擬開關的控制...
將兩個MOS管的源極直接相連做為輸入端子，漏極連接在一起做為輸出端子，由于這...將兩個MOS管的源極直接相連做為輸入端子，漏極連接在一起做為輸出端子，由于這種MOS管的漏極和源極完全可以互換使用，因而這種電路的輸入端與輸出端也可以互換，這...
