可以看出，不管是NMOS還是PMOS，導通電阻RDS（on）都隨著溫度的升高而增大，閾...可以看出，不管是NMOS還是PMOS，導通電阻RDS（on）都隨著溫度的升高而增大，閾值電壓絕對值都隨溫度的升高而降低。
HID 600V KIA06TB60D 該系列是最先進的器件，設計用于開關電源、逆變器和續流...HID 600V KIA06TB60D 該系列是最先進的器件，設計用于開關電源、逆變器和續流二極管。
結電容”的定義適用于所有的FET，并不局限于VMOS，也適用于所有的VMOS晶體管，...結電容”的定義適用于所有的FET，并不局限于VMOS，也適用于所有的VMOS晶體管，只是測定方法與標識方法有差異。實際上結電容還包括引線電極與管芯之間的電容、管芯...
從圖5可以發現，超結功率MOSFET輸出電容的遲滯效應，與其漏極源極所加電壓VDS直...從圖5可以發現，超結功率MOSFET輸出電容的遲滯效應，與其漏極源極所加電壓VDS直接相關，這種效應大多發生在低壓階段，這也表明，超結功率MOSFET輸出電容的遲滯效應...
理論上，ZVS軟開關過程中，COSS電容充放電，基本上沒有損耗。實際應用中卻發現...理論上，ZVS軟開關過程中，COSS電容充放電，基本上沒有損耗。實際應用中卻發現，功率MOSFET在ZVS軟開關過程中，COSS電容充放電過程存在一定的額外損耗，無法恢復存...
1. 勢壘電容：功率半導體中，當N型和P型半導體結合后，由于濃度差導致N型半導體...1. 勢壘電容：功率半導體中，當N型和P型半導體結合后，由于濃度差導致N型半導體的電子會有部分擴散到P型半導體的空穴中，因此在結合面處的兩側會形成空間電荷區（...
