KNH8150A 30A 500V產品特征 先進的平面加工技術 RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10...KNH8150A 30A 500V產品特征 先進的平面加工技術 RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10V 低柵極電荷使開關損耗最小化 堅固的多晶硅柵極工藝
1.如果使用過溫保護功能R3為懸空(不焊接)狀態。同時需要把RNTC以及R4焊接上。 ...1.如果使用過溫保護功能R3為懸空(不焊接)狀態。同時需要把RNTC以及R4焊接上。 2.如果不使用過溫保護，R3接入1k左右電阻，同時RNTC、R4為懸空狀態。
U相N下管：mcu的5v管腳控制導通，0控制關斷。 U相N上管：在U相下管導通的時候...U相N下管：mcu的5v管腳控制導通，0控制關斷。 U相N上管：在U相下管導通的時候，U相對應的自舉電路電容是在充電的，此時UGH的控制腳UH為1，將UGH拉在GND上，保證上...
當VCC有效時，PMOS的體二極管率先導通，隨后S極的電壓由先前的0V變成了（VCC-0...當VCC有效時，PMOS的體二極管率先導通，隨后S極的電壓由先前的0V變成了（VCC-0.7），此時Vgs = 0 -（VCC-0.7）= -VCC+0.7。
當KEY輸出為低電平時，Q1的柵源電壓Vgs=0，Q1不導通。因為Q1不導通，所以Q2的柵...當KEY輸出為低電平時，Q1的柵源電壓Vgs=0，Q1不導通。因為Q1不導通，所以Q2的柵源之間電壓相等，所以Q2也不導通，所示VOUT沒有輸出。
背靠背MOS驅動，S極背靠背，可以看到它是外置MOS，可以根據需求選擇MOS，提高系...背靠背MOS驅動，S極背靠背，可以看到它是外置MOS，可以根據需求選擇MOS，提高系統的帶載能力。
