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3650現貨供應商 KIA3650 60A/500V PDF文件 3650參數詳細資料-KIA 官網

信息來源:本站 日期:2018-02-07 

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KCM3650參數

高電壓MOSFET采用先進的終止方案,提供增強的電壓。不隨時間降低性能的阻塞能力。此外,這種先進的MOSFET設計能夠承受高能量的雪崩和減刑模式。新的節能設計還提供了一個快速恢復時間二極管源漏。高電壓設計,高速開關電源,轉換器和PWM電機控制中的應用程序,這些設備特別適用于橋式電路,二極管速度和換向安全操作區域。關鍵和提供額外的和安全邊際對意外電壓瞬變。


KCM3650特征

強大的高壓終止

雪崩能量

源漏二極管恢復時間相當于分立快恢復二極管

二極管的特點是用于橋式電路

IDSS和VDS(上)指定高溫

隔離安裝孔減少安裝硬件


KCM3650參數指標

產品型號:KIA3650

工作方式:60A/500V

漏源電壓:500V

柵源電壓:±20V

漏電流連續:60A

脈沖漏極電流:180A

雪崩能量:1280mJ

耗散功率:54W

熱電阻:62.5℃/W

漏源擊穿電壓:500V

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:3180 PF

輸出電容:4400 PF

上升時間:52 ns

封裝形式:TO-220F、TO-247



KCM3650(60A 500V
產品編號 KCM3650A
FET極性 N溝道MOSFET
產品工藝

高電壓MOSFET采用先進的終止方案,提供增強的電壓。不隨時間降低性能的阻塞能力。此外,這種先進的MOSFET設計能夠承受高能量的雪崩和減刑模式。新的節能設計還提供了一個快速恢復時間二極管源漏。高電壓設計,高速開關電源,轉換器和PWM電機控制中的應用程序。

產品特征

強大的高壓終止

雪崩能量

源漏二極管恢復時間相當于分立快恢復二極管

二極管的特點是用于橋式電路

IDSS和VDS(上)指定高溫

隔離安裝孔減少安裝硬件

適用范圍 主要適用于橋式電路,二極管速度和換向安全操作區域。關鍵和提供額外的和安全邊際對意外電壓瞬變。
封裝形式 TO-220F、TO-247
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廠家 KIA原廠家
網址 www.mrwjc.cn
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聯系方式:鄒先生

聯系電話:0755-83888366-8022

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