20N50現貨供應商 KIA20N50 PDF 20N50參數詳細資料-KIA 官網

信息來源：本站　日期：2018-01-19　

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KIA20n50h N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源功率因數校正。

產品型號：KIA 20N50

漏極至源極電壓（VDSS）：500V

柵源電壓（VGSS）：±30V

漏極電流（連續）（lD）：20A

耗散功率（PD）：41W/0.33W/℃

工作溫度：+150/℃

擊穿電壓溫度：0.5V/℃

輸入電容：VGS =0V,VDS=25V,f=1MHz

上升時間：VDD=250V，ID=20A，RG=25Ω

封裝形式：TO-220F、TO-247、TO-3P

RDS（on）= 0.21Ω@ V GS = 10v

Lowgate charge ( typical 70nC)

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt／dt能力

	20N50（20A 500V）
產品編號	KIA20N50/C/HF/HH/HM
產品工藝	kia20n50h N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源功率因數校正。
溝道	N溝道MOSFET
特征	RDS（on）= 0.21Ω@ V GS = 10v Lowgate charge ( typical 70nC) 快速切換的能力雪崩能量改進的dt／dt能力
適用范圍	主要適用于高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源功率因數校正
封裝形式	TO-220F、TO-247、TO-3P
PDF文件	【直接在線預覽】
廠家	KIA 原廠家
LOGO
網址	www.mrwjc.cn
PDF總頁數	總5頁數