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電機驅動mos管選型,85v120a,KCD3008A場效應管參數-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2025-04-28 

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電機驅動mos管選型,85v120a,KCD3008A場效應管參數-KIA MOS管


85v120a,KCD3008A場效應管參數引腳圖

電機驅動mos管選型要求:

最大漏-源電壓(VDSS):需高于實際工作電壓峰值并預留20%-30%裕量,防止瞬態過壓損壞。

最大漏極電流(ID):根據電機最大負載電流選定,需覆蓋連續模式和瞬態尖峰電流。選擇低導通電阻的器件以減少損耗。

柵極驅動電壓(VGS):需高于閾值電壓(VGS(th))并留有余量,確保完全導通。

NMOS管:適用于低壓側開關(如H橋下管),具有成本低、型號多、導通電阻小的優勢。

PMOS管:用于高壓側開關(如H橋上管),但成本高且可選型號較少,通常需配合自舉升壓電路實現高壓驅動。


KCD3008A場效應管漏極電流120A,漏源擊穿電壓為85V,采用先進的SGT技術,極低導通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ,最大限度地減少開關損耗,提高效率;優秀的柵極電荷xRDS(開)產品(FOM),穩定可靠;在電機驅動器和DC/DC轉換器、SR(同步整流)中能夠高效運行;封裝形式:TO-252,散熱良好。

85v120a,KCD3008A場效應管

85v120a,KCD3008A場效應管參數

漏源電壓:85V

漏極電流:120A

柵源電壓:±20V

脈沖漏電流:480A

雪崩能量單脈沖:560MJ

最大功耗:85W

閾值電壓:3.0V

總柵極電荷:65nC

輸入電容:4030PF

輸出電容:545PF

反向傳輸電容:35PF

開通延遲時間:20nS

關斷延遲時間:45nS

上升時間:38ns

下降時間:20ns

85v120a,KCD3008A場效應管規格書

85v120a,KCD3008A場效應管

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