逆變mos管,60v80amos管,KCD3406A場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2025-03-12
逆變器專用mos管KCD3406A漏源擊穿電壓60V，漏極電流為80A，采用先進(jìn)的LVMOS工藝技術(shù)生產(chǎn)，SGT MOSFET通過(guò)結(jié)構(gòu)改進(jìn)提升性能，在降低導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗方面表現(xiàn)出色，最大限度地降低導(dǎo)通電阻，RDS(開(kāi)啟) =8.5mΩ；具有低柵電荷、低反饋電容、開(kāi)關(guān)速度快、改進(jìn)的dvdt功能，高效穩(wěn)定；廣泛應(yīng)用于二次同步整流、逆變器電源管理，封裝形式：TO-252。
漏源電壓：60V
漏極電流：80A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：240A
雪崩能量單脈沖：81MJ
總功耗：63W
閾值電壓：2.0V
總柵極電荷：16.8nC
輸入電容：1065PF
輸出電容：430PF
反向傳輸電容：22PF
開(kāi)通延遲時(shí)間：8nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：19nS
上升時(shí)間：54ns
下降時(shí)間：8.8ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號(hào)）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場(chǎng)2棟1902
搜索微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號(hào)
關(guān)注官方微信公眾號(hào)：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責(zé)聲明：網(wǎng)站部分圖文來(lái)源其它出處，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。
