28n50mos,28a500v場效應管,TO-3P,KIA28N50HH參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-02-28
KIA28N50HH場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流28A，極低導通電阻RDS(開啟) 0.16Ω，最大限度地減少導電損耗，降低功耗、提升效率；低柵極電荷、低Crss、改進的dv/dt能力，實現快速切換；經過100%雪崩測試、符合RoHS，穩定可靠；良好的開關特性，能夠承受較大的耐壓和電流，在車載逆變器、LED電源、手機充電器、備用電源等應用中表現出色，封裝形式：TO-3P，適合大功率應用。
漏源電壓：500V
漏極電流：28A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：80A
雪崩能量單脈沖：1110MJ
總功耗：138W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：45nC
輸入電容：2555PF
輸出電容：355PF
反向傳輸電容：29PF
開通延遲時間：46nS
關斷延遲時間：105nS
上升時間：118ns
下降時間：62ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯系刪除。
