80a80vmos管,3308參數引腳圖,KND3308A場效應管-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2025-02-13
KND3308A場效應管漏源擊穿電壓80V,漏極電流80A,極低的導通電阻RDS(開啟) 6.2mΩ,最大限度地減少導電損耗;具有高雪崩電流,能夠在額定工作條件下穩定運行,確保電路的安全可靠性;采用無鉛和綠色設計,符合環保要求,廣泛應用在電動車控制器、逆變器、BMS保護板、儲能電源中,高效低耗;封裝形式:TO-252,體積小、散熱良好。
漏源電壓:80V
漏極電流:80A
柵源電壓:±25V
脈沖漏電流:340A
雪崩能量單脈沖:529MJ
總功耗:120W
閾值電壓:3.0V
總柵極電荷:76nC
輸入電容:3110PF
輸出電容:445PF
開通延遲時間:20.4nS
關斷延遲時間:63nS
上升時間:67ns
下降時間:43ns
聯系方式:鄒先生
座機:0755-83888366-8022
手機:18123972950(微信同號)
QQ:2880195519
聯系地址:深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號:提供 MOS管 技術支持
免責聲明:網站部分圖文來源其它出處,如有侵權請聯系刪除。