nmos工作原理示意圖,nmos原理圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-11-01
NMOS（n溝道金屬氧化物半導體）是一種在柵極區(qū)使用n型摻雜劑的晶體管。柵極端子上的正 (+ve) 電壓會打開器件。主要用于CMOS（互補金屬氧化物半導體）設計以及邏輯和存儲芯片。與 PMOS 晶體管相比，該晶體管速度非常快，因此可以在單個芯片上放置更多晶體管。
NMOS晶體管符號如下所示：
NMOS工作原理：
當NMOS晶體管接收到不可忽略的電壓時，它會形成閉合電路，這意味著從源極端子到漏極的連接就像電線一樣。因此電流從柵極流向源極。類似地，當該晶體管接收到約0V的電壓時，它會形成開路，這意味著源極端子到漏極的連接將斷開，因此電流從柵極端子流到漏極。
nmos結構圖：
當gs之間存在正壓差時，靠近氧化硅側就會聚集電子，形成導通。
NMOS晶體管由兩個n型半導體區(qū)域構成p型體，這兩個n型半導體區(qū)域與柵極相鄰，稱為源極和漏極。該晶體管具有控制源極和漏極端子之間的電子流的控制柵極。
由于晶體管的主體接地，因此源極和漏極朝向主體的PN結被反向偏置。如果柵極端子處的電壓增加，電場將開始增加并將自由電子吸引到 Si-SiO2 界面的底部。
一旦電壓足夠高，電子最終會填充所有空穴，并且柵極下方的一個薄區(qū)域（稱為溝道）將反轉，成為 n 型半導體。這將通過允許電流流動來創(chuàng)建從源極端子到漏極的導電通道，因此晶體管將導通。如果柵極端子接地，則反向偏置結中沒有電流流動，因此晶體管將關閉。
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