Ciss和Coss和Crss,電容特性Ciss,Coss,Crss-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2024-09-03
在MOSFET中,柵極由一層薄的氧化硅實現絕緣。因此,功率MOSFET在柵極-漏極、柵極-源極和漏極-源極之間具有電容,具體如圖所示。Ciss為輸入電容,Crss為反饋電容,Coss為輸出電容。電容會影響MOSFET的開關性能。
輸入電容Ciss = Cgs + Cgd;
輸出電容Coss = Cds + Cgd;
反向傳輸電容Crss = Cgd
這三個電容幾乎不受溫度變化的影響,因此,驅動電壓、開關頻率會比較明顯地影響MOS管的開關特性,而溫度的影響卻比較小。
電容特性 (Ciss , Coss , Crss )
由于功率 mos 管的結構,會產生寄生電容(CGS、CGD、CDS)。這些寄生電容會影響開關特性。
輸入電容,Ciss
輸入電容 Ciss 影響延遲時間。當 Ciss 大時,延遲時間長,因為在功率 mos 管導通/關斷時必須對大量電荷進行充電/放電。Ciss 越大,功率損耗越大。因此,Ciss 小的功率 mos 管是理想的。
C iss通過下式計算。
C iss = C GS+ C GD
輸出電容,Coss
輸出電容 Coss影響關斷特性。
當 Coss 較大時,漏源電壓 VDS 的電壓變化率 dv/dt 在功率 mos 管關斷時降低,從而降低了噪聲的影響,但增加了導通關閉下降時間t f。
Coss通過下式計算。
C oss = C DS + C GD
反向傳輸電容,Crss
反向傳輸電容,Crss 也稱為鏡像電容。
Crss 影響高頻特性。Crss 越大,越出現以下特征:
導通時漏源電壓 VDS 的下降時間較長(導通上升時間 t r較長)
關斷時漏源電壓 VDS 的上升時間較長(關斷下降時間 t f較長)
功率損耗大
反向傳輸電容 Crss 通過以下公式計算。
C rss = C GD
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