pn結與摻雜濃度的關系,摻雜濃度高pn結窄-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-08-07
PN結是由一塊半導體晶體的兩側分別摻雜成P型和N型半導體形成的。P型半導體富含空穴，而N型半導體富含電子。當這兩種半導體緊密接觸時，它們之間的接觸面就形成了PN結。摻雜濃度直接影響PN結的形成和性質(zhì)。
耗盡層寬度取決于雜質(zhì)離子的濃度；在摻雜半導體中，多數(shù)載流子由雜質(zhì)離子提供，少數(shù)載流子由本征激發(fā)(形成電子空穴對)，故而，在高摻雜濃度下，多數(shù)載流子的擴散運動大于PN結內(nèi)建電場形成的少數(shù)載流子的漂移運動，同時削弱了內(nèi)建電場，即耗盡層寬度變窄，此時整個運動過程即是半導體正向?qū)ǖ臓顟B(tài)。本征激發(fā)是共價鍵中的電子在溫度升高或者受到光照時，掙脫原子核的束縛，成為自由電子的過程；
PN結(空間電荷區(qū)/耗盡層阻擋層)
P區(qū)(positive正極)->多數(shù)載流子為空穴，本征激發(fā)產(chǎn)生電子空穴對，少數(shù)載流子為自由電子；
N區(qū)(negative負極)->多數(shù)載流子為自由電子；
PN結的維持是依靠PN各區(qū)的少子的漂移運動和在PN結形成的空間電場下少部分突破其勢壘逃逸的多子的擴散運動，漂移運動的少子和擴散運動的多子數(shù)目相同；
那么，此時因為少子是半導體自身共價鍵本征激發(fā)所形成的載流子，與摻雜濃度無關，所以在摻雜濃度增大時，少子的數(shù)目是不變的，只有在原本沒有增大濃度時形成PN結的區(qū)域摻雜的雜質(zhì)元素增多，此區(qū)域極易掙脫束縛而進行擴散運動的多子同進行漂移運動的固定數(shù)目的少子達到動態(tài)平衡時，所需掙脫束縛的多子的范圍就更小，所以PN結就更窄。
PN結隨正向電壓方向及大小的變化
當外接正向電壓時，靠近PN結兩側電子密度增大，并向兩側遞減，結論可得PN結變薄。
在外接正向電壓時，大量電子涌入N區(qū)，一部分電子與空間電荷區(qū)的正離子結合，從而使其顯中性，所以削弱的內(nèi)電場，且PN結變薄，P區(qū)同理；
當外接正向電壓時，漂移運動被削弱，擴散運動加強，又由上面可得，少子和多子嚴重不等，且少子漂移運動減少，PN結無法正常維持，故縮減；
PN結隨反向電壓方向及大小的變化
漂移運動被增強，進行漂移運動的少子增多，結論可得PN結變厚。
摻雜濃度對PN結伏安特性的影響
正向特性：摻雜濃度直接影響PN結的正向?qū)妷骸８邠诫s濃度使得N區(qū)和P區(qū)中的載流子濃度增加，從而提高正向電流密度。然而，過高的摻雜濃度可能導致PN結出現(xiàn)隧道效應或穿通現(xiàn)象，使得正向電流密度不再隨電壓增加而線性增長。
反向特性：摻雜濃度對PN結的反向飽和電流有顯著影響。高摻雜濃度增加了PN結內(nèi)部的載流子濃度，使得在反向偏置電壓下仍有較多的載流子能夠越過PN結勢壘并參與導電過程。
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