mos管與igbt的區別,mos和igbt應用區別-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-07-22
MOS管即MOSFET，金屬-氧化物半導體場效應晶體管，由于這種場效應管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應管。MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。
有的MOSFET內部會有個二極管，這是體二極管，或者叫寄生二極管、續流二極管。
寄生二極管的作用，有兩種解釋：
MOSFET的寄生二極管，作用是防止VDD過壓的情況下，燒壞MOS管，因為在過壓對MOS管造成破壞之前，二極管先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免MOS管被燒壞。
防止MOS管的源極和漏極反接時燒壞MOS管，也可以在電路有反向感生電壓時，為反向感生電壓提供通路，避免反向感生電壓擊穿MOS管。
MOSFET具有輸入阻抗高、開關速度快、熱穩定性好、電壓控制電流等特性。
IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復合型半導體器件。
IGBT的電路符號并未統一，畫原理圖時一般是借用三極管、MOS管的符號，這時可以從原理圖上標注的型號來判斷是IGBT還是MOS管。
同時還要注意IGBT有沒有體二極管，圖上沒有標出并不表示一定沒有，除非官方資料有特別說明，否則這個二極管都是存在的。
IGBT內部的體二極管并非寄生的，而是為了保護IGBT脆弱的反向耐壓而特別設置的，又稱為FWD（續流二極管）。
判斷IGBT內部是否有體二極管也并不困難，可以用萬用表測量IGBT的C極和E極，如果IGBT是好的，C、E兩極測得電阻值無窮大，則說明IGBT沒有體二極管。
IGBT作為新型電子半導體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性。
MOS管與IGBT的結構特點
IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。
IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。
相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會慢于MOSFET，因為IGBT存在關斷拖尾時間，由于IGBT關斷拖尾時間長，死區時間也要加長，從而會影響開關頻率。
結構不同：MOS管是一種場效應管，由柵極、漏極和源極組成，柵極和漏極之間是一個p型或n型溝道。而IGBT是由一個n型溝道和一個pnp結構組成，它由一個門極、一個集電極和一個發射極組成，其中集電極和發射極之間是一個n型溝道。
工作原理不同：MOS管的柵極電壓控制通道電阻，從而控制漏極電流;而IGBT的控制極(門極)控制n型溝道的導電性質，從而控制集電極和發射極之間的導通電阻，從而控制集電極電流。
導通電阻不同：IGBT的導通電阻比MOS管小，因此IGBT在高壓、高電流的應用場合中更為常用。同時，IGBT在導通電阻小的情況下也具有較高的開關速度，因此在高頻開關應用中也有廣泛應用。
驅動電路復雜度不同：由于IGBT的電壓和電流的極值較大，因此需要較復雜的驅動電路才能確保其可靠性和穩定性。而MOS管的驅動電路相對簡單。
成本不同：MOS管的成本通常比IGBT低，因為MOS管的制造工藝更為成熟，而IGBT的制造工藝和材料成本相對較高。
mos和igbt應用區別
MOSFET優點是高頻特性好，可以工作頻率可以達到幾百kHz、上MHz，缺點是導通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場合下表現卓越，其導通電阻小，耐壓高。
MOSFET應用于開關電源、鎮流器、高頻感應加熱、高頻逆變焊機、通信電源等等高頻電源領域；IGBT集中應用于焊機、逆變器、變頻器、電鍍電解電源、超音頻感應加熱等領域。
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