mos管與igbt的區(qū)別,mos和igbt應(yīng)用區(qū)別-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-07-22
MOS管即MOSFET，金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管。MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
有的MOSFET內(nèi)部會有個二極管，這是體二極管，或者叫寄生二極管、續(xù)流二極管。
寄生二極管的作用，有兩種解釋：
MOSFET的寄生二極管，作用是防止VDD過壓的情況下，燒壞MOS管，因?yàn)樵谶^壓對MOS管造成破壞之前，二極管先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免MOS管被燒壞。
防止MOS管的源極和漏極反接時(shí)燒壞MOS管，也可以在電路有反向感生電壓時(shí)，為反向感生電壓提供通路，避免反向感生電壓擊穿MOS管。
MOSFET具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性。
IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。
IGBT的電路符號并未統(tǒng)一，畫原理圖時(shí)一般是借用三極管、MOS管的符號，這時(shí)可以從原理圖上標(biāo)注的型號來判斷是IGBT還是MOS管。
同時(shí)還要注意IGBT有沒有體二極管，圖上沒有標(biāo)出并不表示一定沒有，除非官方資料有特別說明，否則這個二極管都是存在的。
IGBT內(nèi)部的體二極管并非寄生的，而是為了保護(hù)IGBT脆弱的反向耐壓而特別設(shè)置的，又稱為FWD（續(xù)流二極管）。
判斷IGBT內(nèi)部是否有體二極管也并不困難，可以用萬用表測量IGBT的C極和E極，如果IGBT是好的，C、E兩極測得電阻值無窮大，則說明IGBT沒有體二極管。
IGBT作為新型電子半導(dǎo)體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性。
MOS管與IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。
IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn)，但I(xiàn)GBT克服了這一缺點(diǎn)，在高壓時(shí)IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻。
相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會慢于MOSFET，因?yàn)镮GBT存在關(guān)斷拖尾時(shí)間，由于IGBT關(guān)斷拖尾時(shí)間長，死區(qū)時(shí)間也要加長，從而會影響開關(guān)頻率。
結(jié)構(gòu)不同：MOS管是一種場效應(yīng)管，由柵極、漏極和源極組成，柵極和漏極之間是一個p型或n型溝道。而IGBT是由一個n型溝道和一個pnp結(jié)構(gòu)組成，它由一個門極、一個集電極和一個發(fā)射極組成，其中集電極和發(fā)射極之間是一個n型溝道。
工作原理不同：MOS管的柵極電壓控制通道電阻，從而控制漏極電流;而IGBT的控制極(門極)控制n型溝道的導(dǎo)電性質(zhì)，從而控制集電極和發(fā)射極之間的導(dǎo)通電阻，從而控制集電極電流。
導(dǎo)通電阻不同：IGBT的導(dǎo)通電阻比MOS管小，因此IGBT在高壓、高電流的應(yīng)用場合中更為常用。同時(shí)，IGBT在導(dǎo)通電阻小的情況下也具有較高的開關(guān)速度，因此在高頻開關(guān)應(yīng)用中也有廣泛應(yīng)用。
驅(qū)動電路復(fù)雜度不同：由于IGBT的電壓和電流的極值較大，因此需要較復(fù)雜的驅(qū)動電路才能確保其可靠性和穩(wěn)定性。而MOS管的驅(qū)動電路相對簡單。
成本不同：MOS管的成本通常比IGBT低，因?yàn)镸OS管的制造工藝更為成熟，而IGBT的制造工藝和材料成本相對較高。
mos和igbt應(yīng)用區(qū)別
MOSFET優(yōu)點(diǎn)是高頻特性好，可以工作頻率可以達(dá)到幾百kHz、上MHz，缺點(diǎn)是導(dǎo)通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場合下表現(xiàn)卓越，其導(dǎo)通電阻小，耐壓高。
MOSFET應(yīng)用于開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機(jī)、通信電源等等高頻電源領(lǐng)域；IGBT集中應(yīng)用于焊機(jī)、逆變器、變頻器、電鍍電解電源、超音頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域。
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