mosfet柵極電阻,mos管柵極電阻的作用-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-07-19
MOS管具有高輸入阻抗、低噪聲、低功耗等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于模擬和數(shù)字電路中。其中，柵極電阻是MOS管中一個重要的參數(shù)，它對MOS管的性能和特性有著重要的影響。
柵極電阻指的是在MOS管工作時，由于柵極與襯底之間存在一定的電阻而產(chǎn)生的效應(yīng)。它是指在給定的偏置下，柵極電壓變化所引起的柵極電流變化率。
mos管柵極電阻的作用
在圖中mos管Q電路中，在柵極處連接了兩個電阻，R38,R42。
R38電阻的作用是：
1.減緩Rds從無窮大到Rds(on)(一般0.1歐姆或者更低)。
2.若不加R38電阻，高壓情況下便會因為mos管開關(guān)速率過快而導(dǎo)致周圍元器件被擊穿。但R38電阻過大則會導(dǎo)致MOS管的開關(guān)速率變慢，Rds從無窮大到Rds（on）的需要經(jīng)過一段時間，高壓下Rds會消耗大量的功率，而導(dǎo)致mos管發(fā)熱異常。
R42電阻的作用是：
1.作為泄放電阻泄放掉G-S的少量靜電，防止mos管產(chǎn)生誤動作，甚至擊穿mos管（因為只要有少量的靜電便會使mos管的G-S極間的等效電容產(chǎn)生很高的電壓），起到了保護(hù)mos管的作用。
2.為mos管提供偏置電壓。
MOS管柵極電阻的主要作用
包括限制驅(qū)動電流、防止瞬間大電流損壞驅(qū)動芯片、減緩MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷速度、消除振蕩信號以及保護(hù)周圍元器件免受高壓擊穿。
限制驅(qū)動電流：通過設(shè)置合適的電阻值，可以防止瞬間驅(qū)動電流過大，從而保護(hù)驅(qū)動芯片不受損壞。
防止瞬間大電流：在MOS管開啟時，相當(dāng)于對電容充電，瞬間電流非常大，通過串接電阻可以限制這個瞬間電流，防止驅(qū)動芯片因電流過大而損壞。
消除振蕩信號：由于驅(qū)動信號通常包含豐富的頻率分量，而MOS管電路中存在寄生電容和電感，容易產(chǎn)生振蕩信號。柵極電阻可以提供一個阻尼，吸收這種振蕩信號，從而穩(wěn)定電路性能。
保護(hù)周圍元器件：在高壓情況下，如果不加?xùn)艠O電阻或電阻值設(shè)置不當(dāng)，可能會導(dǎo)致周圍元器件被擊穿。
減緩導(dǎo)通和關(guān)斷速度：雖然減小柵極電阻可以加快MOS管的開關(guān)速度，但過小的電阻值會導(dǎo)致MOS管導(dǎo)通速度過快，可能會在高壓情況下導(dǎo)致更多的功率消耗和發(fā)熱問題。
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