9435參數及引腳,9435場效應管參數,9435mos管-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-05-21
KIA9435是高單元密度溝槽P溝道MOSFET，可為大多數同步降壓轉換器應用提供出色的RDSON和柵極電荷。KIA9435滿足RoH和綠色產品的要求。
9435場效應管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5.3A，RDS（開）=50mΩ（典型值）@VGS=-10V，超低柵極電荷，出色的Cdv/dt效應下降提升整體性能。9435mos管封裝形式：SOP-8，散熱效果良好，適用于各種應用場景。
漏源電壓：-30V
漏極電流：-5.3A
漏源通態電阻(RDS(on))：50mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：-20A
總功耗：2.5W
總柵極電荷：12nC
輸入電容：525PF
輸出電容：132PF
開通延遲時間：15nS
關斷延遲時間：57nS
上升時間：13.2ns
下降時間：20ns
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
