場效應管6035參數(shù),大功率350V,開關(guān)電源MOS管KIA6035A-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-04-19
KIA6035A功率MOSFET是使用KIA先進的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這項先進的技術(shù)經(jīng)過特別定制，可最大限度地減少導通電阻，提供卓越的開關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些器件非常適合高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數(shù)校正。
KIA6035A場效應管的漏源擊穿電壓高達350V，漏極電流可達11A，適用于各種高壓應用場合，RDS（ON）僅為0.38Ω，在10V的VGS下表現(xiàn)出色、低柵極電荷，僅為15nC，有助于提高開關(guān)速度和效率、高堅固性和快速切換能力，能夠在各種惡劣環(huán)境下穩(wěn)定工作、還具有指定的雪崩能量和改進的dv/dt能力，確保在高壓和高頻率下依然可靠穩(wěn)定，為電路設計提供穩(wěn)定可靠的支持。KIA6035A封裝形式：TO-252、TO-220。
漏源電壓：350V
漏極電流：11A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：0.38Ω
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：36A
雪崩能量單脈沖：423MJ
最大功耗：99W
輸入電容：844PF
輸出電容：162PF
總柵極電荷：15nC
開通延遲時間：25nS
關(guān)斷延遲時間：77nS
上升時間：23.5ns
下降時間：47.5ns
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