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NCE01P30K參數及代換,NCE01P30K引腳資料PDF-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-12-07 

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NCE01P30K參數及代換,NCE01P30K引腳資料PDF-KIA MOS管


電機驅動在工業自動化設備中占據核心地位,如果電機驅動發生故障就很容易導致損失,選擇優質的場效應管可以讓電機驅動提升效率,減少損耗。NCE01P30K代換場效應管KIA35P10A是一款電機驅動專用MOS管,采用先進的溝槽MOSFET技術,提供出色的RDS(ON)和柵極電荷。KIA35P10A漏源擊穿電壓-100V, 漏極電流-35A ,RDS(on) =42mΩ(typ)@VGS=10V,封裝形式:TO-252。


NCE01P30K參數,引腳圖

NCE01P30K參數,代換,引腳

VDS =-100V,ID =-30A

RDS(ON) <58mΩ @ VGS=-10V (Typ:44mΩ)

RDS(ON) <65mΩ @ VGS=-4.5V (Typ:48mΩ)

漏源電壓(Vdss):-100V

連續漏極電流(Id):-30A

功率(Pd):120W

導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):58mΩ@10V,15A

閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA



NCE01P30K參數代換KIA35P10A引腳圖

NCE01P30K參數,代換,引腳

KIA35P10A特性:

RDS(開)=42mΩ(典型值)@VGS=10V

100%EAS保證

綠色設備可用

超低柵極電荷

出色的Cdv/dt效應下降

先進的高單元密度溝槽技術


NCE01P30K參數代換KIA35P10A參數詳情

工作方式:-35A/ -100V

柵源電壓:±20V

脈沖漏電流:-100A

單脈沖雪崩能量:345mJ

雪崩電流:28A

總功耗:104W

操作和儲存溫度范圍:-55℃至+150℃

漏源擊穿電壓:-100V

柵源漏電流:±100nA

輸入電容:4920pF

輸出電容:223pF

反向轉移電容:125pF

NCE01P30K參數,代換,引腳

NCE01P30K參數,代換,引腳

KIA35P10A場效應管-100V,-35A能夠代換CMD5950、NCE01P30K、DH100P30型號進行使用,KIA35P10A具有高雪崩耐量、可靠性高、低Qgd、低RDSon的特點,可最大限度地減少導通損耗,提供卓越的開關性能,廣泛應用于電動車報警器、開關等領域;符合RoHS和綠色產品要求,100%EAS保證,全功能可靠性得到認可。



聯系方式:鄒先生

聯系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯系地址:深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109


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