50n06,50n06場效應管參數,50n06場效應管代換-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2023-11-23
低內阻MOS管KIA50n06漏源擊穿電壓60V,漏極電流為50A,RDS(on) =10.5m@ VGS =10V;具有低Rds開啟,可將傳導損耗降至最低、高雪崩電流等特點;KIA50n06可以代換SQD50N06、FQP50N06等威世、仙童品牌場效應管型號進行使用,優質國產原廠直銷。
KIA50n06 60V 50A應用領域有:電源、不間斷電源、電池管理系統等,50n06非常適合應用于電源適配器、開關電源、UPS電源、車載功放、電動工具、HID安定器等產品;提供無鉛綠色設備。KIA50n06封裝形式:TO-252、TO-251、TO-220。
產品型號:KIA50n06B
工作方式:50A/60V
漏流電壓:60V
柵源電壓(連續):±25V
連續漏電流:50A
脈沖漏極電流:250A
雪崩能量:120A
功耗:88W
熱電阻:62.5℃/W
漏源擊穿電壓:60V
柵極閾值電壓:3V
輸入電容:2060 PF
輸出電容:755 PF
開通延遲時間:14nS
關斷延遲時間:20nS
上升時間:13 ns
下降時間:7.5ns
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