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50n06,50n06場效應管參數,50n06場效應管代換-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-11-23 

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低內阻MOS管KIA50n06漏源擊穿電壓60V,漏極電流為50A,RDS(on) =10.5m@ VGS =10V;具有低Rds開啟,可將傳導損耗降至最低、高雪崩電流等特點;KIA50n06可以代換SQD50N06、FQP50N06等威世、仙童品牌場效應管型號進行使用,優質國產原廠直銷。


KIA50n06 60V 50A應用領域有:電源、不間斷電源、電池管理系統等,50n06非常適合應用于電源適配器、開關電源、UPS電源、車載功放、電動工具、HID安定器等產品;提供無鉛綠色設備。KIA50n06封裝形式:TO-252、TO-251、TO-220。

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產品型號:KIA50n06B

工作方式:50A/60V

漏流電壓:60V

柵源電壓(連續):±25V

連續漏電流:50A

脈沖漏極電流:250A

雪崩能量:120A

功耗:88W

熱電阻:62.5℃/W

漏源擊穿電壓:60V

柵極閾值電壓:3V

輸入電容:2060 PF

輸出電容:755 PF

開通延遲時間:14nS

關斷延遲時間:20nS

上升時間:13 ns

下降時間:7.5ns


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聯系方式:鄒先生

聯系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯系地址:深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109


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