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si2306場效應管參數,2306場效應管參數代換-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-11-17 

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2306場效應管漏源擊穿電壓30V,漏極電流為3.5A;極低RDS(on)的高密度單元設計、無鉛產品、堅固可靠;封裝形式:SOT-23。2306場效應管非常適合應用于LED感應燈、玩具、藍牙音箱等產品領域,2306場效應管能夠替代VISHAY(威世)、時科、CJ、新潔能產品型號進行使用,KIA半導體原廠直銷高性價比。

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VDS =30V,R DS(on) =0.057Ω@V GS =10V,I D =3.5A

VDS =30V,R DS(on) =0.094Ω@V GS =4.5V,I D =2.8A


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產品型號:KIA2306

工作方式:3.5A/30V

漏源電壓:30V

柵源電壓:±20A

漏電流連續:3.5A

脈沖漏極電流:16A

雪崩電流:1.25A

耗散功率:1.25W

熱電阻:100V/℃

漏源擊穿電壓:30V

柵極閾值電壓:1V

輸入電容:555PF

輸出電容:120PF

上升時間:7.5ns

封裝形式:SOT-23


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