si2306場效應管參數,2306場效應管參數代換-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2023-11-17
2306場效應管漏源擊穿電壓30V,漏極電流為3.5A;極低RDS(on)的高密度單元設計、無鉛產品、堅固可靠;封裝形式:SOT-23。2306場效應管非常適合應用于LED感應燈、玩具、藍牙音箱等產品領域,2306場效應管能夠替代VISHAY(威世)、時科、CJ、新潔能產品型號進行使用,KIA半導體原廠直銷高性價比。
VDS =30V,R DS(on) =0.057Ω@V GS =10V,I D =3.5A
VDS =30V,R DS(on) =0.094Ω@V GS =4.5V,I D =2.8A
產品型號:KIA2306
工作方式:3.5A/30V
漏源電壓:30V
柵源電壓:±20A
漏電流連續:3.5A
脈沖漏極電流:16A
雪崩電流:1.25A
耗散功率:1.25W
熱電阻:100V/℃
漏源擊穿電壓:30V
柵極閾值電壓:1V
輸入電容:555PF
輸出電容:120PF
上升時間:7.5ns
封裝形式:SOT-23
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