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AO3415,3415場效應管參數,3415場效應管替代-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-11-16 

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AO3415,3415場效應管參數資料

3415場效應管漏源擊穿電壓-16V,漏極電流為-4A;極低RDS(on)的高密度單元設計、無鉛產品、堅固可靠;封裝形式:SOT-23。3415場效應管非常適合使用于蘋果充電頭、玩具、藍牙、感應燈等產品領域,3415場效應管能夠替代VISHAY(威世)、時科、CJ、AO品牌型號進行使用,國產原廠高性價比。


KIA3415采用先進的溝槽技術,提供出色的RDS(導通)、低柵極電荷和低至1.8V的柵極電壓操作。該器件適用于負載開關或PWM應用。標準產品KIA3415不含鉛(符合ROHS和Sony 259規范)。KIA3415是綠色產品訂購首選。


AO3415,3415場效應管參數

VDS(V)=-16V

ID=-4.0A

RDS(on)<45mΩ(VGS=-4.5V,ID=-4.0A)

RDS(on)<54mΩ(VGS=-2.5V,ID=-2.5A)

RDS(on)<75mΩ(V GS=-1.8V,ID=-2.0A)


AO3415,3415場效應管參數封裝圖


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MOS管KIA3415 -16V-4.0A資料-規格書

在線查看及下載規格書,請點擊下圖。


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MOS管國產品牌KIA半導體的產品涵蓋工業、新能源、交通運輸、綠色照明四大領域,不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源,也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產品的精細化與革新,力求為客戶提供最具行業領先、品質上乘的科技產品。


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