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110n8f5場效應管參數,100n08參數及代換,引腳,2908B-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-11-01 

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110n8f5場效應管參數,100n08參數及代換,引腳,2908B-KIA MOS管


110n8f5場效應管參數資料

FHP110N8F5B場效應管具有147A電流、85V電壓, RDS(on) = 5.5mΩ(max) 最高柵源電壓@VGS =±20 V;封裝形式:TO-263、TO-220。

Vgs(±V):20;

VTH(V):2-4;

ID(A):147A;

BVdss(V):85V

110n8f5場效應管參數,100n08參數及代換

100n08參數資料

FHP100N08場效應管參數:

Vgs(±V):25;

VTH(V):2.5-3.5;

ID(A):100-120;

BVdss(V):80;

RDS (on) = 7.5mΩ(typ)@V GS =10V;

封裝形式:TO-220/TO-263,腳位排列位GDS。


110n8f5,100n08代換2908B參數資料


KNX2908B場效應管采用先進的N溝道溝槽技術,漏源擊穿電壓80V, 漏極電流最大值為130A ,RDS(on) =5.0mΩ(typ)@VGS=10V,封裝形式是TO-220、TO-263、TO-3P;具有高雪崩耐量、可靠性高、低Qgd、低RDSon的特點,可最大限度地減少導通損耗,提供卓越的開關性能。


這一款130A、80V大流量、低電壓的MOS管能夠代換110n8f5和100n08這兩款型號來使用。110n8f5,100n08代換MOS管KNX2908B廣泛應用于DC/DC電源、DC-AC逆變器、開關電源、UPS、BLDC電機驅動及鋰電池保護板上。

110n8f5場效應管參數,100n08參數及代換

KNX2908B特性:

VDS=80V,ID=130A,RDS(ON)(典型值)=5.0mΩ@VGS=10V

低Rdson的高密度電池設計

完全表征雪崩電壓和電流

穩定性和均勻性好,EAS高

出色的封裝,散熱良好


110n8f5,100n08代換2908B參數規格書

110n8f5場效應管參數,100n08參數及代換

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KIA半導體產生的MOS管場效應管已經廣泛應用于智能家居、新能源電子領域:如智能音響、家用電器、LED照明、逆變電源、電瓶車、電腦電源、充電器、汽車電子等行業,竭誠為客戶提供優質的產品以及配套服務。可根據客戶需求進行量身定制MOS管產品以及免費試樣、技術支持。


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