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NCE0115K中文資料,nce0115k參數,nce0115k代換6610A-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-09-26 

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NCE0115K中文資料

NCE0115KNCE新潔能100V 15A增強型功率NMOS

封裝:TO252

NCE0115K特性

VDS=100V,ID=15A

RDS(on)<100mΩ@ VGS=10V(typ:80mΩ)

RDS(on)<110mΩ@ VGS=4.5V(typ:85mΩ)


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KNX6610A是最高性能的N溝道MOSFETS,具有極高的高單元密度。6610A采用KIA先進的平面條紋TRENCH技術生產。這種先進的技術經過特別定制,可最大限度地減少導通損耗,提供卓越的開關性能,并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。KNX6610A漏源擊穿電壓100V, 漏極電流最大值為15A ,RDS(on) =83mΩ(typ)@VGS=10V,能夠完美代換nce0115k型號參數場效應管,6610A價格優惠,現貨直銷。


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RDS(ON)=83mΩ(典型值)@VGS=10V

極低導通電阻RDS(On)

低Crss

快速切換

100%雪崩測試

改進的dv/dt功能


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PWM應用

電源管理

負載開關


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聯系方式:鄒先生

聯系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯系地址:深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109


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