NCE0115K中文資料,nce0115k參數,nce0115k代換6610A-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2023-09-26
NCE0115K中文資料
NCE0115KNCE新潔能100V 15A增強型功率NMOS
封裝:TO252
NCE0115K特性
VDS=100V,ID=15A
RDS(on)<100mΩ@ VGS=10V(typ:80mΩ)
RDS(on)<110mΩ@ VGS=4.5V(typ:85mΩ)
KNX6610A是最高性能的N溝道MOSFETS,具有極高的高單元密度。6610A采用KIA先進的平面條紋TRENCH技術生產。這種先進的技術經過特別定制,可最大限度地減少導通損耗,提供卓越的開關性能,并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。KNX6610A漏源擊穿電壓100V, 漏極電流最大值為15A ,RDS(on) =83mΩ(typ)@VGS=10V,能夠完美代換nce0115k型號參數場效應管,6610A價格優惠,現貨直銷。
RDS(ON)=83mΩ(典型值)@VGS=10V
極低導通電阻RDS(On)
低Crss
快速切換
100%雪崩測試
改進的dv/dt功能
PWM應用
電源管理
負載開關
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