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NCE0115K中文資料,nce0115k參數(shù),nce0115k代換6610A-KIA MOS管

信息來源：本站　日期：2023-09-26　

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NCE0115K中文資料

NCE0115KNCE新潔能100V 15A增強型功率NMOS

封裝：TO252

NCE0115K特性

VDS=100V，ID=15A

RDS（on）<100mΩ@ VGS=10V（typ：80mΩ)

RDS（on）<110mΩ@ VGS=4.5V（typ：85mΩ)


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KNX6610A是最高性能的N溝道MOSFETS，具有極高的高單元密度。6610A采用KIA先進的平面條紋TRENCH技術(shù)生產(chǎn)。這種先進的技術(shù)經(jīng)過特別定制，可最大限度地減少導(dǎo)通損耗，提供卓越的開關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。KNX6610A漏源擊穿電壓100V, 漏極電流最大值為15A ,RDS(on) =83mΩ(typ)@VGS=10V，能夠完美代換nce0115k型號參數(shù)場效應(yīng)管，6610A價格優(yōu)惠，現(xiàn)貨直銷。


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RDS（ON）=83mΩ（典型值）@VGS=10V

極低導(dǎo)通電阻RDS（On）

低Crss

快速切換

100%雪崩測試

改進的dv/dt功能


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PWM應(yīng)用

電源管理

負載開關(guān)


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聯(lián)系方式：鄒先生

聯(lián)系電話：0755-83888366-8022

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QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務(wù)大廈2109


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