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28n50場效應管參數,28n50?代換,28A 500V,逆變器-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-09-18 

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28n50場效應管參數 28A 500V

高壓大功率MOS管KIA28N50漏源擊穿電壓高達500V,漏極電流最大為28A;RDS(on)(典型值)=0.16mΩ@Vgs=10V,具有低電荷最小化開關損耗,開關速度快等優點,適用于車載逆變器、LED電源、手機充電器、備用電源等。封裝形式:TO-3P、TO-220F。


28n50場效應管參數 28A 500V-優勢

RDS(ON)=0.16Ω(典型值)@VGS=10V

低柵極電荷

低Crss

100%雪崩Aested

提高dv/dt能力

符合RoHS


28n50場效應管參數 28A 500V-應用

LED電源

手機充電器

備用電源


28n50場效應管參數 28A 500V-封裝圖

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28n50場效應管參數 28A 500V-參數

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28n50場效應管參數 28A 500V功率MOSFET采用KIA先進的平面條紋DMOS技術生產,可以最大限度地減少導通電阻,提供卓越的開關性能,并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些設備非常適合高效開關模式電源,基于半橋拓撲的有源功率因數校正。歡迎來電咨詢,免費送樣!


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