3406場效應管參數引腳圖 60V80A場效應管-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2023-09-12
MOS管KCX3406A:漏源擊穿電壓60V,漏極電流最大值為80A;RDS (on) = 8.5mΩ(typ)@VGS =10V。KCX3406A是采用KIA的LVMOS技術生產的N溝道增強型功率MOS場效應晶體管。改進的工藝和單元結構經過特別定制,以最大限度地減少導通電阻,提供卓越的開關性能。廣泛應用于二次同步整流器、逆變器系統的功率管理、無刷電機、LED電源等產品。封裝形式:DFN5*6、TO-252。
80A 60V,RDS(ON)(典型值)=8.5mΩ@VGS=10V
SGT mosfet
低柵極電荷
低Crss
快速切換
改進的dv/dt功能
KIA半導體MOSFET場效應管采用優質芯片及先進的工藝技術封裝,為您提供優質、高效的產品,和國外產品相比,我司的該款產品具有貨期短、性價比高等優點。來電咨詢,免費送樣!
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