12N60參數代換 12N60場效應管 12N60引腳圖TO-220-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2023-08-02
KIA12N60H N溝道增強型硅柵功率MOSFET專為高壓、高速功率開關應用而設計,如高效開關電源、有源功率因數校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮流器。12N60是針對儲能電源,有更耐沖擊,同等參數雪崩更高的MOSFET。
RDS(on)= 0.53Ω @ VGS= 10 V
柵極電荷低(典型為52nC)
快速交換能力
指定的雪崩能量
改進的DV/DT功能
漏源電壓:600V
柵源電壓:±30A
漏電流連續:12A
脈沖漏極電流:48A
雪崩能量:865mJ
耗散功率:231W
熱電阻:62.5℃/V
漏源擊穿電壓:600V
溫度系數:0.7V/℃
柵極閾值電壓:2.0V
輸入電容:1850PF
輸出電容:180PF
上升時間:90ns
封裝形式:TO-220、220F
聯系方式:鄒先生
聯系電話:0755-83888366-8022
手機:18123972950
QQ:2880195519
聯系地址:深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
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