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12N60參數代換 12N60場效應管 12N60引腳圖TO-220-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-08-02 

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12N60參數代換 12N60場效應管 12N60引腳圖TO-220-KIA MOS管


12N60參數代換600V資料

KIA12N60H N溝道增強型硅柵功率MOSFET專為高壓、高速功率開關應用而設計,如高效開關電源、有源功率因數校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮流器。12N60是針對儲能電源,有更耐沖擊,同等參數雪崩更高的MOSFET。

12N60參數代換600V

12N60參數代換600V-特點

RDS(on)= 0.53Ω @ VGS= 10 V

柵極電荷低(典型為52nC)

快速交換能力

指定的雪崩能量

改進的DV/DT功能


12N60參數代換600V-封裝圖


12N60參數代換600V


12N60參數代換600V-參數

漏源電壓:600V

柵源電壓:±30A

漏電流連續:12A

脈沖漏極電流:48A

雪崩能量:865mJ

耗散功率:231W

熱電阻:62.5℃/V

漏源擊穿電壓:600V

溫度系數:0.7V/℃

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:1850PF

輸出電容:180PF

上升時間:90ns

封裝形式:TO-220、220F



12N60參數代換600V


12N60參數代換600V-電路圖

PDF資料下載


12N60參數代換600V


聯系方式:鄒先生

聯系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯系地址:深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109


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