?共射、共基放大電路頻率特性差異原因分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-07-24
考慮到三極管的極間寄生電容和電阻，可將三極管的模型化作圖所示的電路。
圖 考慮到寄生電容和電阻的三級管
共射放大電路上限頻率低的根本原因
圖 考慮寄生效應的共射放大電路
根據上圖所示，三極管的輸入電容 Ci 與基極寄生電阻 rb 形成低通濾波器，其中，輸入電容 Ci 是(1 + Av)倍的 Cbc 和 Cbe 之和。因此，在高頻范圍，共射放大電路的放大倍數必然下降。
也可以根據前文電路中采用的三極管的寄生參數，簡單計算共射放大電路的上限截止頻率。例如，2N3904 的寄生電容為下圖所示。
圖 2N3904 的寄生電容
再根據低通濾波器的截止頻率公式 fc = 1/(2πRC) ≈ 2.5MHz，其中，R 值在 2N3904 中并未找到，暫取 200 歐姆。可以看出，粗略計算的結果與上述仿真的結果基本相符。
因此，共射極放大電路在高頻信號作用時放大倍數下降，是由晶體管極間電容和分布電容導致的。
同樣，來分析一下共基放大電路上限截止頻率高的根本原因。
共基放大電路上限頻率高的根本原因
和共射放大電路一樣，仍可將三極管的模型化作圖所示的電路。
圖 考慮寄生效應的共基放大電路
理論上，三極管的輸入電容 Ci 與射級電阻 RE 形成低通濾波器，其中，輸入電容 Ci 是(Av – 1)倍的 Cce 和 Cbe 之和。
實際上，由于共基放大電路的輸入電阻極小（不考慮 RE 時，射級等效于交流接地），遠小于輸入電容 Ci 的交流阻抗。所以，在一定頻率內，即使三極管的輸入電容 Ci 與射級電阻 RE 形成低通濾波器，也不會對輸入信號產生影響。
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