【電子電路】防反接保護電路分類-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-07-19
防反接保護是電子電路常要考慮的安全之一，防反接可以根據芯片的特性或者整個電路的特性分別考慮，本文重點說明一下幾種基于芯片的防反接電路，當然，可以根據防反接的原理應用到其他電路中。
HSD 分類
Monolithic HSD：芯片內部不帶防反接保護電路，該器件的導通電阻在 10mΩ以上；
Hybrid HSD：芯片內部自帶防反接保護電路，該器件的導通電阻在 10mΩ以下。
對于 Monolithic HSD 器件而言，防反接電路在 GND 端時，電源接反時，電流仍可以通過圖中紅色線條的路徑，負載正常工作，如圖 1 所示。
在器件內部，電流則是通過功率 MOSFET 管的體二極管，而該電流的大小則是由負載的決定的。因此，需要考慮一個問題：功率 MOSFET 所吸收的功率，P = 0.7*Ir。需要考慮該功率 MOSFET 是否能吸收這些能量。
而對于 Hybrid HSD 而言，不需要外部防反接電路，而且，當電源反接時，功率 MOSFET 仍是導通狀態，也就是說，電流是通過功率 MOSFET，而不是體二極管，因此，就不必考慮功率 MOSFET 吸收能量的問題。
但是，如果外部添加了二極管之類的防反接保護電路，功率 MOSEFET 則不再導通，也就不具備該功能了。
防反接保護電路分類
大致可以根據防反接保護器件分為電阻，二極管，電阻||二極管，NMOS 和 PMOS 幾種類型，而根據防反接保護電路的位置，又可以分為 VCC 端和 GND 端。
具體分類見下面表格。
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