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電源優質MOS管KNX4760A 8A 600V TO-220參數資料-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-07-06 

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電源優質MOS管KNX4760A 8A 600V TO-220參數資料-KIA MOS管


KNX4760A 8A 600V-產品特征

專業平面新技術

RDS(ON),typ.=0.85Ω@VGS=10V

低柵極電荷使開關損耗最小化

快恢復體二極管


KNX4760A 8A 600V-應用領域

適配器充電器

SMPS電源

液晶面板電源


KNX4760A 8A 600V-封裝


KNX4760A 8A 600V


KNX4760A 8A 600V-參數

漏源電壓:600V

柵源電壓:±30V

連續漏電流:8.0A

單脈沖雪崩能量:580MJ

峰值二極管恢復dv/dt:5.0V/ns

漏源擊穿電壓:600V

輸入電容:1250pF

輸出電容:110pF

反向轉移電容:16pF

漏源二極管正向電壓:1.5V

連續漏源電流:8A


KNX4760A 8A 600V-規格書

查看及下載規格書,請點擊下圖。


KNX4760A 8A 600V

KNX4760A 8A 600V

KIA半導體的產品涵蓋工業、新能源、交通運輸、綠色照明四大領域,不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源,也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產品的精細化與革新,力求為客戶提供最具行業領先、品質上乘的科技產品。



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