逆變器后級電路常用MOS管KIA13N50H 13A 150V原廠-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-06-08
KIA13N50H適用于逆變器后級電路，高效優質；KIA13N50H N溝道增強型硅柵功率MOSFET設計用于高電壓、諸如高效率開關模式電源的高速功率開關應用，基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子燈鎮流器。
產品編號：KIA13N50
漏極至源極電壓（VDSS）：500V
柵源電壓（VGSS）：±30V
漏極電流 （連續）（lD）：13A
耗散功率（PD）：195W
工作溫度：±150℃
擊穿電壓溫度：0.5/℃
輸入電容：VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz
上升時間：VDD=250V，ID=13A，RG=25Ω
RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v
低柵極電荷（典型的45nc）
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
以下為KIA13N50產品PDF格式的產品詳細資料，查看詳情請點擊下圖。
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