NMOS物理結(jié)構(gòu)-NMOS的結(jié)構(gòu)、原理詳解-KIA MOS管

NMOS的一個(gè)重要功能--放大，可是NMOS是怎么實(shí)現(xiàn)這個(gè)功能的呢？它的物理結(jié)構(gòu)又是怎樣的呢？現(xiàn)在我們來(lái)討論一下NMOS的結(jié)構(gòu)和原理。

NMOS 結(jié)構(gòu)

NMOS結(jié)構(gòu)圖

NMOS 結(jié)構(gòu)

襯底是P型的，也就是說(shuō)在沒(méi)有任何外界電壓下，襯底里面充滿(mǎn)了空穴。當(dāng)D和S都不加電壓，而VG>VTH時(shí)，不得了，溝道里面充滿(mǎn)了電子啦！這些電子是怎么來(lái)的呢？記住一件事，襯底永遠(yuǎn)是接地的！電子就是從襯底里來(lái)的，從大地中來(lái)的。

換個(gè)角度來(lái)理解，多晶硅poly和襯底之間夾著一個(gè)二氧化硅層，這就是一個(gè)電容啊，電容的上極板加正電壓帶正電，下極板出現(xiàn)電子也是理所當(dāng)然。

溝道內(nèi)的電子就是NMOS導(dǎo)電的關(guān)鍵，只要VD>VS，電子從S流向D，電流就會(huì)從D流向S。

但是當(dāng)VD=VG-VTH時(shí)，紅色虛線(xiàn)圈出來(lái)的位置電位恰好使該處電子和空穴都不存在了。VD再大，這個(gè)沒(méi)有載流子的區(qū)域會(huì)繼續(xù)擴(kuò)大。載流子都沒(méi)有了，電流ID不減小就很不錯(cuò)了。事實(shí)也是這樣的，當(dāng)VD>VG-VTH時(shí)，電流ID并不繼續(xù)變大，而是不變了。

NMOS 結(jié)構(gòu)