MOSFET驅動器的功率損耗三個公式-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-04-06
MOSFET驅動器的功耗
對MOSFET的柵極進行充電和放電需要同樣的能量，無論充放電過程快或慢（柵極電壓的上升和下降）。因此，MOSFET驅動器的電流驅動能力并不影響由MOSFET柵極的容性負載產生的驅動器功耗。
MOSFET驅動器的功耗包含三部分：
1.由于MOSFET柵極電容充電和放電產生的功耗。
2.由于MOSFET驅動器吸收靜態電流而產生的功耗。
3.MOSFET驅動器交越導通（穿通）電流產生的功耗。
從上述公式推導得出，三部分功耗中只有一個與MOSFET柵極電容充電和放電有關。這部分功耗通常是最高的，特別在很低的開關頻率時。
為了計算公式1的值，需要知道MOSFET柵極電容。MOSFET柵極電容包含兩個電容：柵源電容和柵漏電容（密勒電容）。
通常容易犯的錯誤是將MOSFET地輸入電容（CISS）當作MOSFET總柵極電容。確定柵極電容的正確的方法是看MOSFET數據手冊中的總柵極電容（QG）。這個信息通常顯示在任何MOSFET的電氣特性表和典型特性曲線中。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
