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【PMOS NMOS區分】記憶方法、制造工藝-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2022-11-25 

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【PMOS NMOS區分】記憶方法、制造工藝-KIA MOS管


記憶方法、繪圖:

1. 與SUB襯底(工藝中為N-Well / P-Well)聯接的一端均為S源極,另一端為D漏極。符號中三橫線表示三溝道,相聯的兩條對應一端必為S源極;


2. 符號中箭頭方向代表電子e的移動方向;Ep.N溝道MOS管多數載流子為電子e,工作時電子e流向溝道內側,箭頭向內,PMOS相反;


3. 寄生二極管方向與箭頭(電子e)方向同向(類似并聯電路電流方向一致);


4. D漏極、S源極接高電勢一端必定為寄生二極管指向的一端;

PMOS NMOS 記憶 工藝

PMOS NMOS 記憶 工藝


原理:

PMOS要形成P溝道(PNP),所需載流子為空穴,開關速度慢——【助記】P上面"O"類似空穴;

NMOS要形成N溝道(NPN),所需載流子為電子e,開關速度快——【助記】N轉90度類似"e";


特性:

1. NMOS N溝道載流子為電子e,形成導通溝道需要 + 電荷的吸引,因此高電平導通、低電平關閉;

2. PMOS P溝道載流子為空穴,形成導通溝道需要 - 電荷吸引,因此低電平導通、高電平關閉;

注:該方法僅供協助記憶,實際原理并非吸引,而是電場作用下電子在各原子間的移動。


制造工藝:

PMOS NMOS 記憶 工藝

如圖左側為NMOS,右側為PMOS。


1. PW(P-Well(P阱))、NW(N-Well(N阱)),為NMOS、PMOS的襯底;


2. 為滿足半導體工藝制程要求,襯底聯接端與源、漏極設計在同一側(為降接觸電阻,接觸位置離子注入濃度高、各接觸點位置Dep金屬硅化物)。


3.通過相互聯接,可以組成最基礎的邏輯門電路,與門、非門、或門、與非門、或非門、異或門等,從而實現芯片邏輯運算。



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